 |
4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | ZMKJ |
| Model numarası: | 4 inç GaN-safir |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 5adet |
|---|---|
| Fiyat: | by case |
| Ambalaj bilgileri: | temizlik odasında tek gofret kabı |
| Teslim süresi: | 30 gün içinde |
| Ödeme koşulları: | T / T, Western Union, PayPal |
| Yetenek temini: | 50 adet / ay |
|
Detay Bilgi |
|||
| substrat: | safir gofret | katman: | GaN şablonu |
|---|---|---|---|
| tabaka kalınlığı: | 1-5um | iletkenlik tipi: | N/P |
| Oryantasyon: | 0001 | başvuru: | yüksek güç/yüksek frekanslı elektronik cihazlar |
| uygulama 2: | 5G testere/BAW Cihazları | silikon kalınlığı: | 525um/625um/725um |
| Vurgulamak: | 5G testere gan şablonları,4" gan şablonları,GaN yarı iletken Substrat |
||
Ürün Açıklaması
2 inç 4 inç 4 inç Safir tabanlı GaN şablonları Safir alt tabaka üzerinde GaN filmi
GaN'nin kimyasal özellikleri
1) Oda sıcaklığında GaN suda, asitte ve alkalide çözünmez.
2) Sıcak bir alkali solüsyonda çok yavaş bir hızda çözülür.
3) NaOH, H2SO4 ve H3PO4, düşük kaliteli GaN'yi hızla aşındırabilir, bu düşük kaliteli GaN kristal kusur tespiti için kullanılabilir.
4) HCL veya hidrojen içindeki GaN, yüksek sıcaklıkta kararsız özellikler gösterir.
5) GaN, nitrojen altında en kararlı olanıdır.
GaN'nin elektriksel özellikleri
1) GaN'nin elektriksel özellikleri, cihazı etkileyen en önemli faktörlerdir.
2) Dopingsiz GaN, tüm durumlarda n idi ve en iyi örneğin elektron konsantrasyonu yaklaşık 4*(10^16)/c㎡ idi.
3) Genellikle hazırlanan P numuneleri yüksek oranda kompanze edilir.
GaN'nin optik özellikleri
1) Yüksek bant genişliğine (2.3~6.2eV) sahip geniş bant aralıklı bileşik yarı iletken malzeme, kırmızı sarı yeşil, mavi, mor ve ultraviyole spektrumunu kapsayabilir, şimdiye kadar diğer yarı iletken malzemelerin elde edemediği kadar.
2) Esas olarak mavi ve mor ışık yayan cihazlarda kullanılır.
GaN Malzemesinin Özellikleri
1) Yüksek frekans özelliği, 300G Hz'ye ulaşır.(Si 10G'dir ve GaAs 80G'dir)
2) Yüksek sıcaklık özelliği, 300 ℃'de Normal çalışma, havacılık, askeri ve diğer yüksek sıcaklık ortamları için çok uygundur.
3) Elektron kayması yüksek doyma hızına, düşük dielektrik sabitine ve iyi termal iletkenliğe sahiptir.
4) Asit ve alkali direnci, korozyon direnci, zorlu ortamlarda kullanılabilir.
5) Yüksek voltaj özellikleri, darbe dayanımı, yüksek güvenilirlik.
6) Büyük güç, iletişim ekipmanına çok heveslidir.
GaN'nin ana kullanımı:
1) ışık yayan diyotlar, LED
2) alan etkili transistörler, FET
3) lazer diyotları, LD
Karakteristik Spesifikasyon
Diğer ilgili 4INCH GaN Şablon Spesifikasyonu
| GaN/ Al₂O₃ Yüzeyler (4") 4 inç | |||
| Kalem | katkısız | N tipi |
yüksek katkılı N tipi |
| Boyut (mm) | Φ100,0±0,5 (4") | ||
| Yüzey Yapısı | Sapphire'de GaN(0001) | ||
| YüzeyBitmiş | (Standart: SSP Seçeneği: DSP) | ||
| Kalınlık (μm) | 4,5±0,5;20±2; Özelleştirilmiş | ||
| İletim Tipi | katkısız | N tipi | Yüksek katkılı N tipi |
| Direnç (Ω·cm)(300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Kalınlık Tekdüzeliği |
≤±%10 (4") | ||
| Çıkık Yoğunluğu (cm-2) |
≤5×108 | ||
| Kullanılabilir Yüzey Alanı | ＞90% | ||
| paket | 100.sınıf temiz oda ortamında paketlenmiştir. | ||
| Kristal yapı |
Würtzit |
| Kafes sabiti (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| İletim bandı tipi | Doğrudan bant aralığı |
| Yoğunluk (g/cm3) | 3.23 |
| Yüzey mikrosertliği (Knoop testi) | 800 |
| Erime noktası (℃) | 2750 (N2'de 10-100 bar) |
| Termal iletkenlik (W/m·K) | 320 |
| Bant aralığı enerjisi (eV) | 6.28 |
| Elektron hareketliliği (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrik arıza alanı (MV/cm) | 11.7 |