• BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret
  • BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret
BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret

BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri: Çin
Marka adı: ZMKJ
Model numarası: UTI-AlN-1 inç tek kristal

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı: 1 parça
Fiyat: by case
Ambalaj bilgileri: temizlik odasında tek gofret kabı
Teslim süresi: 30 gün içinde
Ödeme koşulları: T / T, Western Union, PayPal
Yetenek temini: 10pcs / Ay
En iyi fiyat İletişim

Detay Bilgi

malzeme: AlN kristali kalınlık: 400um
Oryantasyon: 0001 başvuru: yüksek güç/yüksek frekanslı elektronik cihazlar
uygulama 2: 5G testere/BAW Cihazları Ra: 0.5nm
yüzey cilalı: Al yüz cmp, N yüz mp kristal tipi: 2H
Vurgulamak:

AlN alüminyum nitrür gofret

,

50

,

8 mm alüminyum nitrür gofret

Ürün Açıklaması

çap 50,8 mm 2 inç 1 inç AlN alt tabaka/AlN tek kristal gofretler

10x10 mm veya çap 10 mm çap 25,4 mm çap 30 mm, çap 45 mm, çap 50,8 mm AlN substrat AlN tek kristal gofretler

 

AlN şablonunun uygulamaları
 
üretmek için bir dizi tescilli süreç ve teknoloji geliştirdik.
yüksek kaliteli AlN şablonları.Şu anda OEM'imiz dünya çapında 2-6 inç AlN üretebilen tek şirkettir.
patlayıcı karşılamak için 2020 yılında 300.000 adet kapasiteli büyük ölçekli endüstriyel üretim kapasitesinde şablonlar
UVC-LED, 5G kablosuz iletişim, UV dedektörleri ve sensörler vb. pazar talebi
 
Şu anda müşterilerimize standart 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm yüksek kaliteli nitrojen sağlıyoruz
Alüminyum tek kristal alt tabaka ürünleri ve ayrıca müşterilere 10-20 mm polar olmayan ürünler sunabilir
M-düzlem alüminyum nitrür tek kristal alt tabaka veya standart dışı 5 mm-50,8 mm'yi müşterilere özelleştirin
Cilalı alüminyum nitrür tek kristal substrat.Bu ürün, yüksek kaliteli bir alt tabaka malzemesi olarak yaygın olarak kullanılmaktadır.
UVC-LED çiplerinde, UV dedektörlerinde, UV lazerlerinde ve çeşitli yüksek güçlerde kullanılır
/Yüksek sıcaklık/yüksek frekanslı elektronik cihaz alanı.
 
 
karakteristik Spesifikasyon
  • modeliUTI-AlN-10x10B-tek kristal
  • Çap 10x10±0.5mm; veya çap 10 mm, çap 25,4 mm veya çap 30 mm veya çap 45 mm;
  • Yüzey kalınlığı (µm) 400± 50
  • OryantasyonC ekseni [001] +/- 0,5°

Kalite Sınıfı S-sınıfı (süper) P-sınıfı (üretim) R-sınıfı (Araştırma)

  • ÇatlaklarYok Yok <3mm
  • FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
  • FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
  • Yüzey Pürüzlülüğü [5×5µm] (nm)Al-yüz CMP <0.5nm;N-yüz(arka yüzey) MP <1.2um;
  • Kullanılabilir alan %90
  • Absorbans <50 ; <70 ; <100;
  • 1. uzunluk yönü {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)≤30
  • Yay (µm)≤30
  • Çözgü (µm)-30~30
  • Not: Bu karakterizasyon sonuçları, kullanılan ekipmana ve/veya yazılıma bağlı olarak biraz değişebilir.
BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret 0

BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret 1

BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret 2

 

BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret 3

BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret 4

 
kirlilik elemanı CO Si B Na WPS Ti Fe
PPMW27 90 5,4 0,92 0,23 <0,1 <0,1 <0,5 0,46 <0,5
 
 
Kristal yapı

Würtzit

Kafes sabiti (Å) a=3.112, c=4.982
İletim bandı tipi Doğrudan bant aralığı
Yoğunluk (g/cm3) 3.23
Yüzey mikrosertliği (Knoop testi) 800
Erime noktası (℃) 2750 (N2'de 10-100 bar)
Termal iletkenlik (W/m·K) 320
Bant aralığı enerjisi (eV) 6.28
Elektron hareketliliği (V·s/cm2) 1100
Elektrik arıza alanı (MV/cm) 11.7

BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret 5

Bu ürün hakkında daha fazla bilgi edinmek istiyorum
İlgileniyorum BAW Cihazları Çapı 50.8mm 1 İnç AlN Alüminyum Nitrür Gofret bana tür, boyut, miktar, malzeme gibi daha fazla ayrıntı gönderebilir misiniz
Teşekkürler!
Cevabını bekliyorum.