• MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka
  • MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka
  • MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka
MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka

MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri: ÇİN
Marka adı: ZMKJ
Model numarası: 6 inç 4h-n sic gofret

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı: 5 adet
Fiyat: by case
Ambalaj bilgileri: 100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi
Teslim süresi: 1-6 hafta
Ödeme koşulları: T/T, Western Union, MoneyGram
Yetenek temini: 1-50 adet/ay
En iyi fiyat İletişim

Detay Bilgi

Malzeme: SiC tek kristal 4h-N Seviye: üretim derecesi
kalın: 0,4 mm yüzey: alıştırılmış
Başvuru: cila testi için Çap: 6İNÇ
Renk: Yeşil MPD: <2cm-2
Vurgulamak:

4H-N Tipi epitaksiyel gofret

,

6 İnç epitaksiyel gofret

,

4H-N Tipi epi gofret

Ürün Açıklaması

 

4h-n 4 inç 6 inç dia100mm sic tohum gofret külçe büyümesi için 1mm kalınlık

Özelleştirilmiş boyut/2 inç/3 inç/4 inç/6 inç 6H-N/4H-YARI/ 4H-N SIC külçeler/Yüksek saflıkta 4H-N 4 inç 6 inç çap 150 mm silisyum karbür tek kristal (sic) substratlar gofretlerS/ Özel kesimli sic gofretlerTohum kristali için üretim 4 inç kalite 4H-N 1.5mm SIC Gofretler

6 inç SIC Gofret 4H-N Tipi üretim sınıfı sic epitaksiyel gofretler sic üzerinde GaN tabakası

 

Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında

Karborundum olarak da bilinen silisyum karbür (SiC), kimyasal formülü SiC olan silikon ve karbon içeren bir yarı iletkendir.SiC, yüksek sıcaklıklarda veya yüksek voltajlarda veya her ikisinde de çalışan yarı iletken elektronik cihazlarda kullanılır. SiC ayrıca önemli LED bileşenlerinden biridir, büyüyen GaN cihazları için popüler bir substrattır ve aynı zamanda yüksek sıcaklıklarda bir ısı yayıcı olarak hizmet eder. güç LED'leri.

 

1. Açıklama
Mülk 4H-SiC, Tek Kristal 6H-SiC, Tek Kristal
Kafes Parametreleri a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
İstifleme Sırası ABCB ABCACB
Mohs Sertliği ≈9.2 ≈9.2
Yoğunluk 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
term.Genişleme Katsayısı 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Kırılma İndeksi @750nm

hayır = 2.61
ne = 2.66

hayır = 2.60
ne = 2.65

Dielektrik sabiti c~9.66 c~9.66
Termal İletkenlik (N-tipi, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Termal İletkenlik (Yarı yalıtımlı)

a~4,9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

bant aralığı 3.23 eV 3,02 eV
Arıza Elektrik Alanı 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Doygunluk Sürüklenme Hızı 2.0×105m/sn 2.0×105m/sn

SiC Uygulamaları

Uygulama alanları

  • 1 adet yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektronik cihaz Schottky diyotlar, JFET, BJT, PiN,
  • diyotlar, IGBT, MOSFET
  • 2 optoelektronik cihaz: esas olarak GaN/SiC mavi LED alt tabaka malzemesi (GaN/SiC) LED'inde kullanılır

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

4H-N 4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Özellikleri

6 inç N-Tipi SiC Yüzey Özellikleri
Mülk P-MOS Sınıfı P-SBD Sınıfı D Sınıfı  
Kristal Özellikleri  
Kristal Formu 4H  
Çoklu Tip Alanı İzin Yok Alan≤%5  
(MPD)a ≤0,2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2  
Altıgen Plakalar İzin Yok Alan≤%5  
altıgen polikristal İzin Yok  
Kapanımlara Alan≤%0.05 Alan≤%0.05 Yok  
özdirenç 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm  
(EPD)a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 Yok  
(TED)a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 Yok  
(BPD)a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 Yok  
(TSD)a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 Yok  
(Yığın Hatası) ≤0.5% Alan ≤1% Alan Yok  
Yüzey Metal Kirliliği (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm-2  
Mekanik Özellikler  
Çap 150.0 mm +0 mm/-0.2 mm  
Yüzey Yönlendirme Eksen Dışı:4°doğru <11-20>±0.5°  
Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm ± 1,5 mm  
İkincil Düz Uzunluk İkincil Daire Yok  
Birincil Daire Yönü <11-20>±1°  
İkincil Düz Yönlendirme Yok  
Ortogonal Yanlış Yönlendirme ±5.0°  
Yüzey C-Yüz: Optik Cila, Si-Yüz: CMP  
Gofret Kenarı eğim  
Yüzey Pürüzlülüğü
(10μm×10μm)
Si Yüz Ra≤0,20 nm ; C Yüz Ra≤0,50 nm  
Kalınlıka 350.0μm± 25,0 μm  
LTV(10mm×10mm)a ≤2μm ≤3μm  
(TTV)a ≤6μm ≤10μm  
(YAY)a ≤15μm ≤25μm ≤40μm  
(Çözgü) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm  
Yüzey Özellikleri  
Çipler/Girintiler İzin Yok ≥0.5mm Genişlik ve Derinlik Adet.2 ≤1.0 mm Genişlik ve Derinlik  
çiziklera
(Si Yüz, CS8520)
≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤0.5×Gofret Çapı ≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤1.5× Gofret Çapı  
TUA(2mm*2mm) ≥98% ≥95% Yok  
Çatlaklar İzin Yok  
Bulaşma İzin Yok  
Kenar Hariç Tutma 3mm  
         

MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka 1MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka 2MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka 3

 
KATALOG ORTAK BOYUTENVANTER LİSTEMİZDE  
 

 

4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret/külçeler
2 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe
3 inç 4H N-Tipi SiC gofret
4 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe
6 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe

4H Yarı Yalıtım / Yüksek SaflıktaSiC gofret

2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
 
 
6H N-Tipi SiC gofret
2 inç 6H N-Tipi SiC gofret/külçe
 
2-6 inç için özelleştirilmiş boyut
 

>Ambalaj – Lojistik

Paket, temizlik, anti-statik, şok tedavisinin her ayrıntısıyla ilgileniyoruz.

Ürünün miktarına ve şekline göre farklı bir paketleme işlemi uygulayacağız!100 derece temizleme odasında neredeyse tekli gofret kasetleri veya 25 adet kaset.

 

Bu ürün hakkında daha fazla bilgi edinmek istiyorum
İlgileniyorum MOS cihazı için 6 inç dia150mm SIC Gofret 4H-N Tipi Sic alt tabaka bana tür, boyut, miktar, malzeme gibi daha fazla ayrıntı gönderebilir misiniz
Teşekkürler!
Cevabını bekliyorum.