Optik İletişim Sistemi İçin Silikon Waferler Üzerindeki Büyük Kalınlıklı SiO2 Isı Oksitleri

Ürün Açıklaması

SapphiOptik İletişim Sistemi için Silikon Waferler Üzerinde Büyük Kalınlıklı Isı Oksit (SiO2)

Genel olarak, silikon levhaların oksit tabakası kalınlığı çoğunlukla 3um altında yoğunlaşmıştır.ve yüksek kaliteli kalın oksit tabakası (3um'dan fazla) silikon vafeleri üretebilen ülkeler ve bölgeler hala ABD'nin egemenliği altındadırBu proje, film oluşturma verimliliğini,Mevcut oksit katman büyüme sürecinde oksit filminin (SiO) film kalınlığı sınırı ve film oluşturma kalitesi, ve nispeten kısa bir sürede yüksek kaliteli ve yüksek verimlilik ile maksimum 25um ((+5%) ultra kalın oksit tabakası silikon levha üretmek.1550nm 1 kırılma indeksi.4458+0.00015G'nin yerelleştirilmesine ve optik iletişime katkıda bulunmak.

SebepleriBir gün optik iletişim kablolu ve mikrodalga iletişimin yerini alacak ve iletişimin ana akımı olacak

1. Optik iletişim cihazları, optik iletişim sistemlerinin ve ağlarının yapımının temelini oluşturur.
2. Optik pasif cihaz, optik fiber iletişim ekipmanlarının önemli bir parçasıdır ve aynı zamanda diğer optik fiber uygulamalarının vazgeçilmez bir bileşenidir.
3. Optik pasif cihaz, bağlantı, enerji zayıflatma, ters izolasyon şant veya şant, sinyal modülasyonu ve optik yolda filtreleme işlevlerini gerçekleştirir.
4. Bunlardan biri Splitter, Star coupler, Optical switch, dalga boyu bölme multiplexer (WDM), array waveguide grating (AWG) vb.Tümleri düz optik dalga kılavuzu teknolojisi çözümlerine dayanan optik pasif cihazlardır..
5. Optik dalga kılavuzları için, iyi optik, elektromekanik özelliklere ve termal istikrarına sahip silikon (Sio),Pasif optik entegrasyon için en pratik ve umut verici teknik yaklaşım olarak kabul edilir..

Silikon levhalar üzerinde termal oksit (SiO2) uygulaması

• 5G'nin ve optik iletişimin hızla gelişmesi ve insanların bilgi aktarımı ve değişimi için artan ihtiyaçları bağlamında,Yüksek hız ve düşük gecikme arayışı sonsuzdur.
• Optik yolun mükemmel bir taşıyıcısı olarak, silikon dioksit (SiO2), aynı zamanda kalınlığı ve saflığı için daha yüksek ve daha talepkâr gereksinimler ortaya koymuştur.Ve oksit katmanı silikon optik iletişim optik cihazları desteklemek için vazgeçilmez bir malzemedir.
• Yüksek kaliteli ve istikrarlı olarak kalın oksit tabakası (3um'dan fazla) üretebilen ülkeler ve bölgeler hala esas olarak ABD, Japonya, Güney Kore ve Tayvan, Çin'dir.

Üretim yöntemi

Silikon levhalar, yüksek sıcaklıklarda oksidleyici maddelerin varlığında fırın boruları aracılığıyla silikon katmanları oluşturur, bu süreç termal oksidasyon olarak bilinir.Sıcaklık aralığı 900'den 1'e kadar kontrol edilir.Oksitleyici gaz H2:O2 oranı 1 ile 1 arasında değişir.51 ve 3:1Silikon levyenin boyutuna göre, oksidasyon kalınlığı olmadan farklı akış kaybı olacaktır.Substrat silikon plaka, 0'luk bir oksit katman kalınlığı olan 6 "veya 8" tek kristalin silikondur..1 μm ile 25 μm arasında.

Standart Spesifikasyon

Ürünlerin ayrıntıları

Sahip olduğumuz diğer ürünler

Sapphire wafer PSS wafer