 |
Yönlendirme111 100 SSP DSP Yüksek saflıklı InP Yarım iletken plaka 6'4'' InP plakalar
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | China |
| Marka adı: | ZMSH |
| Model numarası: | InP |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 1 |
|---|---|
| Teslim süresi: | 2-4hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T |
|
Detay Bilgi |
|||
| EPD: | 5500cm2 | Doping Konsantrasyonu: | Doping elemanının konsantrasyonu 1×10^16 - 1×10^18 Cm^-3 |
|---|---|---|---|
| Kalınlığı: | 350 + 10um | Kusur yoğunluğu: | ≤ 500 cm2 |
| Çapraz: | 2-6 inç | Doping Elementi: | Antimonyum (Sb), Indium (In), Fosfor (P), vb. doping için kullanılan element. |
| Poliş edilmiş: | DSP SSP | Hareketlilik: | 1200~2000 |
| Vurgulamak: | SSP Endyum Fosfür Wafer,Yüksek saflıklı InP Yarım iletken levha,4'' InP Wafers |
||
Ürün Açıklaması
Ürün Tanımı:
BizimInPOlağanüstü elektronik ve optoelektronik özellikleri ile ünlü olan (Indium Fosfür) yarı iletken levhalar, iletişim, optik ve elektronik alanlarında geniş bir uygulama buldu.Gelişmiş büyüme ve işleme teknolojilerini kullanmak, waferlerimizin yüksek saflığını ve tekdüzeliğini sağlıyoruz, üstün elektron hareketliliği ve düşük kusur yoğunluğu sağlayarak, yüksek endüstride uygulanan sıkı gereksinimleri karşılıyoruz.Waferler 2 ila 4 inç çapta mevcuttur., kaslaklığı ve yüzey kabalığı müşteri ihtiyaçlarına göre özelleştirilebilir.Her bir waferin müşterilerimizin beklentilerini karşılamasını sağlamak için kapsamlı kalite güvencesi ve teknik destek sunuyoruz.Yüksek hızlı fiber optik iletişim bileşenleri üretimi için kullanılır ya da güneş hücreleri ve sensörler için bir substrat olarak kullanılırsa,InPWafers senin ideal seçimin.
Özellikleri:
- Yüksek Elektron Hareketliliği:InPSon derece yüksek bir elektron hareketliliğine sahiptir, yani elektronlar malzemede son derece yüksek hızlarda hareket edebilir.Bu özellik, InP'yi yüksek hızlı elektronik cihazlar ve yüksek frekanslı uygulamalar için ideal hale getirir..
- Doğrudan Bandgap:InPDoğrudan bant boşluğu olan bir yarı iletkendir, bu da direkt olarak iletken bant ve valans bantı arasında foton dönüştürebileceğini gösterir.Bu, lazer diyotlarında ve fotodetektorlarda çok yüksek verimliliğe neden olur..
- Olağanüstü Optik Özellikler:InPÖzellikle kızılötesi bölgede mükemmel optik şeffaflığına sahiptir. Bu, kızılötesi optik ve fiber optik iletişim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmasını sağlar.
- Yüksek ısı iletkenliği:InPnispeten yüksek bir ısı iletkenliği gösterir, elektronik cihazlarda etkili bir ısı dağılımına yardımcı olur.
- Kimyasal Dayanıklılık:InPKimyasal olarak kararlıdır ve çevredeki birçok kimyasal maddeye karşı yüksek dirençlidir.
- Uyumluluk:InPyüksek performanslı optoelektronik ve mikroelektronik cihazların üretimi için çok önemli olan GaAs ve InGaAs gibi diğer III-V grubu malzemeleri ile heterostructures oluşturabilir.
- Mekanik Dayanıklılık: Silikondan daha kırılgan olmasına rağmen,InPÜretim ve ambalajlama süreçlerinin basınçlarına dayanacak kadar mekanik dayanıklılığa sahiptir.
- Radyasyona direnci:InPRadyasyona karşı güçlü bir direnci vardır, bu da onu uzay uygulamaları gibi sert ortamlarda kullanmaya uygun hale getirir.
- Genel olarak, bu özelliklerInPYüksek hızlı, yüksek frekanslı ve yüksek performanslı optoelektronik uygulamalarda olağanüstü performansına katkıda bulunur.
Teknik parametreler:
| Parametreler | Değer |
|---|---|
| Kalınlığı | 350 ± 10um |
| Doping Konsantrasyonu | 1x10^16 - 1x10^18 Cm^-3 |
| EPD | 5500cm2 |
| Kusur yoğunluğu | ≤ 500 cm2 |
| Hareketlilik | 1200~2000 |
| Paketleme | Vakum Paketleme, Azot Geri Doldurma |
| Depolama Şartları | Sıcaklık 20-25°C, Nem ≤60% |
| Çapraz | 2-6 inç |
| Doping Elementi | Antimonyum (Sb), Indium (In), Fosfor (P), vb. |
| İletkenlik Tipi | N tipi veya P tipi |
Uygulamalar:
- Fiber optik iletişim:InPLazer diyotları ve optik güçlendiriciler gibi yüksek hızlı fiber optik iletişim ekipmanlarının üretimi için vazgeçilmez bir malzemedir.Yüksek bant genişliği veri iletim yetenekleri, modern iletişim ağlarının kurulmasında kilit bir bileşen haline gelmektedir.
- Foto detektörleri:InPoptik sinyalleri elektrik sinyallerine dönüştüren fotodetektörler oluşturmak için kullanılabilir.
- Güneş hücreleri: Yüksek elektron hareketliliği ve doğrudan bant boşluğu özellikleriInPÖzellikle uzay uygulamaları ve konsantre fotovoltaik sistemler için verimli güneş pilleri üretimi için ideal bir malzeme haline getirmek.
- Lazerler:InPÖzel optik dalga boylarıyla iletişimde kullanılanlar ve tıbbi uygulamalarda kullanılan lazerler de dahil olmak üzere çeşitli yarı iletken lazer türlerini üretmek için kullanılır.
- Yüksek Hızlı Elektronik Aygıtlar: Yüksek elektron hareketliliği nedeniyle,InPRadarda, iletişimde ve bilgisayarda çok önemli olan yüksek hızlı transistörler ve entegre devreler üretimi için tercih edilen malzemedir.
- Kızılötesi Optik:InPKızılötesi dalga boyları aralığında şeffaf olup, lensler ve pencereler gibi kızılötesi optik bileşenlerin üretimi için uygundur.
Özellik:
ZMSH, Kalite garantisi ile Gallium Nitride Wafer özelleştirme hizmetleri sunar.Gallium Nitride Wafer'ımızın bazı özellikleri şunlardır::
- Marka adı: ZMSH
- Model Numarası:InP
- Doğum yeri: Çin
- Ambalaj: Vakum Ambalajı, Azot Geri Doldurulmuş
- Doping Elementi: Antimonyum (Sb), Indium (In), Fosfor (P), vb.
- Kusur yoğunluğu: ≤500 cm^-2
- Çap: 2-6 inç
- Depolama koşulları: Sıcaklık 20-25°C, Nem ≤60%
Gallium Nitride Wafer'imiz ayrıca yüksek kalitede ve güvenilirliğe sahiptir. Üretim sürecinde sıkı kalite kontrolü ile. En rekabetçi fiyatları ve hızlı teslimatı sunuyoruz.Bizim özelleştirilebilir Gallium Nitride Wafer hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın!
Destek ve Hizmetler:
XYZ Şirketi'nde, Gallium Nitride Wafer ürünlerimiz için teknik destek ve servis sağlıyoruz.Deneyimli mühendisler ve teknisyenler ekibimiz ürününüzle ilgili herhangi bir sorunu yanıtlamaya hazırdır.Ayrıca sorun giderme, yedek parça sağlamak ve rutin bakım hizmetleri sunmak için de hazırız.
Online müşteri hizmetleri portalımız, e-posta veya telefon aracılığıyla destek sağlıyoruz. Müşteri hizmetleri ekibimiz herhangi bir soruyu yanıtlamak ve yardım sağlamak için 24 saat 24 saat hizmet vermektedir.Yardım etmekten mutluluk duyarız ve ürününüzün düzgün çalışmasını sağlamak için elimizden geleni yaparız..
Daha fazla teknik desteğe ihtiyacınız varsa, detaylı teknik belgeleri, mühendislik ekibimize erişimi ve ürününüz için garanti uzatmasını içeren ek bir hizmet paketi sunuyoruz.Teknik destek ekibimiz size yardımcı olmak için burada ve sorularınızı cevaplayabilir..
Ürünlerimizin ve hizmetlerimizin kalitesinden gurur duyuyoruz ve müşterilerimizin satın almalarından memnun olmasını sağlamak için çaba gösteriyoruz.Lütfen bize ulaşmaktan çekinmeyin..
Ambalaj ve Nakliye:
Gallium Nitride Wafer'in ambalajlanması ve nakli:
Gallium nitrit (GaN) levhaları tipik olarak vakum kapalı kaplar veya azot gazı ile kapalı kaplar halinde sevk edilir.ve üretim tarihiNakliye sırasında konteynerler, ek yastıklama için kabarcık sargı veya styrofoam ile paketlenmelidir. Kargo güvenli bir şekilde ulaşmasını sağlamak için izlenmelidir.
Sıkça sorulan sorular:
- S:Gallium Nitride Wafer'ın marka adı nedir?
A:Gallium Nitride Wafer'ın marka adı ZMSH. - S:Gallium Nitride Wafer'ın model numarası nedir?
A:Gallium Nitride Wafer'ın model numarası InP. - S:Gallium Nitride Wafer nerede üretiliyor?
A:Gallium Nitride Wafer Çin'de üretiliyor. - S:Gallium Nitride Wafer'ın kullanım alanları nelerdir?
A:Gallium Nitride Wafer, güç ve yüksek frekanslı elektronik, optoelektronik ve mikrodalga cihazları gibi çeşitli uygulamalar için kullanılır. - S:Gallium Nitride Wafer'ın avantajları nelerdir?
A:Gallium Nitride Wafer, daha yüksek parçalanma voltajı, yüksek termal ve elektrik iletkenliği ve yüksek sıcaklıkta çalışma da dahil olmak üzere birçok avantaja sahiptir.