 |
Açık Renkli Kristal Yapı 4H-SiC 6H-SiC Yarı yalıtımlı SiC Yüksek Mekanik Sertlik
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | ZMSH |
| Model numarası: | Yarı Yalıtımlı SiC |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 5 |
|---|---|
| Teslim süresi: | 2-4 Hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T |
|
Detay Bilgi |
|||
| politip: | 4 saat 6 saat | Direnç (RT) Yüzey Pürüzlülüğü: | >1E5 Ω.cm |
|---|---|---|---|
| Yüzey pürüzlülüğü: | 0,5 nm (Si-yüzlü CMP Epi'ye hazır) | FWHM: | A<30 ark saniye |
| TTV: | <25um | yay: | <25um |
| çözgü: | <25um | Birincil Düz Yönlendirme: | <11-20>+5,0° |
| Yüzey Dönüşümü: | Tek veya çift yüz cilalı | Kullanılabilir Alan: | ≥ %90 |
| Vurgulamak: | Yüksek Mekanik Sertlik Yarı yalıtımlı SiC,Kristal yapısı 4H-SiC,Yarı yalıtımlı SiC vafeleri |
||
Ürün Açıklaması
Özet
4-HYarı yalıtımlı SiCSubstrat, çok çeşitli uygulamalara sahip yüksek performanslı bir yarı iletken malzemedir.Bu substrat olağanüstü elektrik özelliklerine sahiptir., yüksek dirençlilik ve düşük taşıyıcı konsantrasyonu da dahil olmak üzere, radyo frekansı (RF), mikrodalga ve güç elektronik cihazları için ideal bir seçim haline getirir.
4-H'nin ana özellikleriYarı yalıtımlı SiCSubstratın yüksek derecede tekdüze elektrik özellikleri, düşük kirlilik konsantrasyonu ve olağanüstü termal kararlılığı vardır.Bu özellikler, yüksek frekanslı RF güç cihazlarının üretimi için uygun hale getirir., yüksek sıcaklıklı elektronik sensörler ve mikrodalga elektronik ekipman.Yüksek parçalanma alanı gücü ve mükemmel ısı iletkenliği de yüksek güç cihazları için tercih edilen substrat olarak konumlandırır.
Ayrıca, 4-HYarı yalıtımlı SiCSubstrat, koroziv ortamlarda çalışmasını ve uygulama yelpazesini genişletmesini sağlayan mükemmel kimyasal istikrar göstermektedir.Yarım iletken imalatı gibi endüstrilerde kritik bir rol oynamaktadır., telekomünikasyon, savunma ve yüksek enerji fizik deneyleri.
Özetle, 4-HYarı yalıtımlı SiCElektriksel ve termal özellikleriyle,Yarım iletkenler alanında önemli bir umut veriyor ve yüksek performanslı elektronik cihazların üretimi için güvenilir bir temel oluşturuyor.
Özellikler
Yüksek Güçlü Elektronik Cihazlar:Yarı yalıtımlı SiCYüksek parçalanma voltajı ve yüksek ısı iletkenliği nedeniyle yüksek güç ve yüksek frekanslı elektronik cihazlar için idealdir.
RF cihazları: Yüksek ısı iletkenliği ve düşük kaybı nedeniyle,Yarı yalıtımlı SiCMikrodalga güç amplifikatörleri ve RF transistörleri gibi RF cihazlarında kullanılır.
Optoelektronik cihazlar:Yarı yalıtımlı SiCAyrıca mükemmel optoelektronik özelliklere sahiptir, bu da LED'ler, lazerler ve fotodetektorlar üretimi için uygundur.
Yüksek Sıcaklıklı Çevredeki Elektronik Aygıtlar: Malzemenin yüksek erime noktası ve mükemmel kimyasal istikrarıYarı yalıtımlı SiCAerospace, otomotiv ve endüstriyel süreç kontrolü gibi yüksek sıcaklıklı ortamlarda çalışan elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılır.
Radyasyona dayanıklı cihazlar:Yarı yalıtımlı SiCradyasyona karşı yüksek dayanıklılık gösterir ve nükleer reaktörlerde ve uzay uygulamalarında radyasyona dirençli elektronik cihazlar için uygundur.
Sensörler:Yarı yalıtımlı SiCmalzeme, sıcaklık sensörleri, basınç sensörleri ve kimyasal sensörler gibi çeşitli sensör türlerinin üretimi için uygun hale getirir.
Özellikleri:
Yüksek direnç:Yarı yalıtımlı SiCçok yüksek dirençli, yani elektrik akımının akışını etkili bir şekilde engelleyebilir, bu nedenle yüksek güçlü elektronik cihazlarda yalıtım katmanı olarak kullanılmak için uygundur
Yüksek ısı iletkenliği:SiCmalzeme çok yüksek bir ısı iletkenliğine sahiptir, bu da cihazlardan ısıyı hızlı ve verimli bir şekilde dağıtmaya yardımcı olur ve böylece cihaz performansını ve güvenilirliğini artırır.
Yüksek kesim voltajı:Yarı yalıtımlı SiCÇok yüksek bir arıza voltajına sahiptir, yani elektrik arızası olmadan yüksek voltajlı uygulamalarda çalışabilir.
Mükemmel Kimyasal Dayanıklılık:SiCgeniş bir sıcaklık aralığında kimyasal olarak kararlıdır ve çoğu asit ve bazlara karşı yüksek direnci vardır.
Yüksek Erime Noktası:SiColağanüstü yüksek bir erime noktasına sahiptir, yaklaşık 2.730 ° C (4,946 ° F), aşırı yüksek sıcaklık ortamlarında istikrarını korumasına izin verir.
Radyasyon Toleransı: Yarım yalıtımSiCnükleer reaktör ve uzay uygulamalarında mükemmel performans gösterir.
Mükemmel Mekanik Özellikler:SiCÇok sert bir malzemedir, mükemmel aşınma direnci ve yüksek dayanıklılık gösterir.
Geniş Bandgap Yarım iletken:SiCYüksek elektron hareketliliğine ve düşük sızıntı akımına sahip, yüksek sıcaklıklı ve yüksek frekanslı elektronik cihazlarda olağanüstü performans sağlayan geniş bant aralığı yarı iletkendir.
| Mülkiyet | Açıklama |
| Yüksek direnç | Çok yüksek elektrik dirençine sahiptir ve yüksek güçlü elektronik cihazlarda etkili bir yalıtıcı olarak çalışır. |
| Yüksek ısı iletkenliği | Sıcaklığı hızlı ve verimli bir şekilde dağıtır, cihazın performansını ve güvenilirliğini artırır. |
| Yüksek Boşaltma Voltajı | Elektriksel arıza olmadan yüksek voltaj koşullarında çalışabilir. |
| Mükemmel Kimyasal Dayanıklılık | Geniş bir sıcaklık aralığında istikrarlı kalır ve çoğu asit ve bazlara karşı yüksek direnci vardır. |
| Yüksek Erime Noktası | 2 civarında bir erime noktası ile aşırı yüksek sıcaklık ortamlarında istikrarını korur.730捕 sürgünC (4,946捕 sürgünF) |
| Radyasyon Toleransı | Nükleer reaktörlerde ve uzay uygulamalarında kullanılmak üzere uygun olan radyasyona karşı yüksek direnç gösterir. |
| Mekanik Özellikleri | Çok sert bir malzeme, olağanüstü aşınma direnci ve yüksek dayanıklılık sağlar. |
| Geniş Bandgap Yarım iletken | Yüksek elektron hareketliliği ve düşük sızıntı akımı nedeniyle yüksek sıcaklıklı ve yüksek frekanslı uygulamalarda iyi çalışır. |
Ambalaj ve Nakliye:
Silikon Karbid (SiC) levhalar, esas olarak güç elektroniği için kullanılan yarı iletken malzemelerden ince dilimlerdir.Uygun ambalaj ve nakliye talimatlarına uymak önemlidir..
Paketleme
- Waferler ESD güvenli bir paket içinde gönderilmelidir.
- Her bir levha ESD köpüğü veya baloncuğu gibi ESD güvenli bir malzemeye sarılmalıdır.
- Paket ESD güvenli bantla kapatılmalıdır.
- Paket, ESD güvenli sembolü ve "Kırılgan" çıkartması ile etiketlenmelidir.