 |
2 inçlik GaP Wafer OF Konumu/Uzunluğu ile EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD Hareketlilik Min 100
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | China |
| Marka adı: | ZMSH |
| Model numarası: | GaP wafer |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 5 |
|---|---|
| Teslim süresi: | 2-4 Hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T |
|
Detay Bilgi |
|||
| Partikül Sayımı: | Yok | çözgü: | Maksimum:10 |
|---|---|---|---|
| Kenar Yuvarlama: | 0,250 mmR | Yüzey İşlemi-geri: | Poliş edilmiş |
| Hareketlilik: | Min:100 | katkı maddesi: | s |
| TTV/TIR: | Maksimum:10 | Davranış Türü: | SCN |
| Vurgulamak: | 2 inçlik GaP wafer.,LED LD GaP Wafer |
||
Ürün Açıklaması
GaP wafer OF konumu/uzunluğu ile 2 inç EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD Hareketlilik Min 100
Ürün Tanımı:
Bir GaP levhası, esas olarak çeşitli elektronik ve optoelektronik cihazların üretimi için kullanılan bir yarı iletken substratıdır.Gallium Fosfür (GaP) levhaları, yarı iletken teknolojisi alanında vazgeçilmez hale getiren olağanüstü optik ve elektronik özelliklere sahiptirBu levhalar, farklı spektrumlarda ışık üretme yetenekleriyle tanınır ve kırmızı, yeşil ve sarı renklerdeki LED ve lazer diyotlarının üretilmesine olanak sağlar.
Yaklaşık 2.26 elektron volt (eV) geniş bant aralığı, GaP levhalarının belirli dalga boylarını verimli bir şekilde emmesini sağlar.GaP'yi fotodetektorlar için mükemmel bir seçim haline getirir., güneş hücreleri ve özel ışık emici gerektiren diğer cihazlar.
Ayrıca, GaP sağlam bir elektronik iletkenlik ve termal kararlılık gösterir, bu da termal yönetimin gerekli olduğu yüksek frekanslı elektronik cihazlar ve uygulamalar için uygundur.
GaP levhaları yalnızca cihaz üretimi için temel malzeme olarak hizmet etmekle kalmaz, aynı zamanda diğer yarı iletken malzemelerin epitaksiyel büyümesi için substrat olarak da işlev görür.Kimyasal istikrarları ve nispeten eşleşen ızgara parametreleri, yüksek kaliteli yarı iletken katmanlarının çöküşü ve üretimi için uygun bir ortam sağlar.
Özünde GaP levhaları çok yönlü yarı iletken substratlardır, LED'lerin, lazer diyotlarının, yüksek frekanslı elektronik cihazların,ve üstün optik özellikleri nedeniyle bir spektrum optoelektronik bileşenler, elektronik ve termal özellikleri.
Özellikleri:
- Ürün Adı: Yarım iletken altyapı GaP Wafer
- Ultra kalın silikon oksit plakaları
- Silikon oksit wafer
- GaP Wafer Tüp Türü: S-C-N
- İletkenlik
- Hareketlilik: Min 100
- GaP Wafer yönelim açısı: N/A
- GaP Wafer Parçacık Sayısı: N/A
- Kalınlığı: Min 175 Max 225
- Elektrik İletkenliği: GaP iyi elektrik iletkenliği gösterir.Güvenilir elektronik performansın gerekli olduğu yüksek frekanslı elektronik cihazlarda ve uygulamalarda kullanılmasına katkıda bulunmak.
- Isı Dayanıklılığı: GaP, etkili bir ısı yönetimi gerektiren uygulamalar için uygun hale getiren dikkat çekici bir ısı iletkenliği ve istikrarını gösterir.
- Substrat Fonksiyonelliği: GaP levhaları yalnızca cihaz üretimi için temel malzeme olarak değil, aynı zamanda epitaksyal büyüme için substrat olarak da hizmet eder.Ek yarı iletken katmanlarının çökmesine izin verenDiğer malzemelerle uyumlulukları ve nispeten eşleşen ızgara parametreleri, yüksek kaliteli yarı iletken katmanlarının büyümesini kolaylaştırır.
Teknik parametreler:
| Parametreler | Değer |
|---|---|
| Yön açısı | N/A |
| Yüzeyi Dönüş | Poliş edilmiş |
| Ingot CC | Min:1E17 Max:1E18 Cm3 |
| Sınıf | A |
| Epi- Hazır | - Evet. |
| OF Yer/Uzunluk | EJ[0-1-1]/ 16±1mm |
| Warp. | Max:10 |
| Parçacık Sayısı | N/A |
| Dopant | S |
| Direnç | Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm |
Uygulamalar:
- LED ve Lazer Aygıtları Üretimi: GaP levhaları ışık yayıcı diyot (LED) ve lazer diyot (LD) üretiminde kullanılır.Olağanüstü optik özellikleri, kırmızı gibi çeşitli dalga boylarında ışık üretmesini sağlar.Bu, GaP'yi aydınlatma, ekranlar, gösterge lambaları ve lazer cihazlarındaki uygulamalar için hayati önem taşıyor.
- GaP Wafer Photodetectors: GaP, belirli dalga boylarında üstün ışık emicilik yeteneği nedeniyle fotodetektörlerin üretiminde kullanılır.Bu dedektörler belirli dalga boyları aralıkları içinde ışık sinyallerini almak ve tespit etmek için kullanılır.Kızılötesi ışığı da dahil.
- GaP Wafer Güneş Hücreleri: GaP güneş hücreleri, diğer malzemelerle karşılaştırıldığında potansiyel olarak daha düşük verimliliğe sahip olsa da, belirli spektrumlarda iyi ışık emici özellikleri göstermektedir.Bu, onları fotovoltaik uygulamalarda belirli dalga boyu aralıkları için uygun kılar..
- Yarım iletken cihazlar: GaP, yarı iletken bir malzeme olarak, belirli dalga boyutu aralıkları için tasarlanmış optik cihazların hazırlanmasında kullanılır.Elektronik özelliklerinden dolayı, GaP, yüksek frekanslı elektronik cihazların üretiminde kullanılır.
- Genel olarak, GaP levhaları optoelektronik ve yarı iletken cihazlar alanlarında çok önemli bir rol oynamaktadır.ve belirli dalga boyu aralıkları için tasarlanmış optik cihazlar.
Özellik:
Marka adı: ZMSH
Model Numarası: GaP Wafer
Doğum yeri: Çin
Max:10
Malzeme: GaP
IF Konumu/Uzunluğu: EJ[0-1-1]/7±1mm
Sınıf: A
Dopant: S
ZMSH GaP Wafer için ince film teknolojisi ve yüksek kaliteli yarı iletken malzemeleri kullanarak elektro-oksitasyonla özel hizmetler sağlıyoruz.
Destek ve Hizmetler:
Yarım iletken altüst ürünlerimiz için teknik destek ve servis sağlıyoruz.
- 24/7 teknik destek hattı
- Ücretsiz yazılım ve sabit yazılım güncellemeleri
- Yerel bakım ve onarım hizmetleri
- Çevrimiçi teknik destek forumu
- Uzaktan teşhis ve sorun giderme
- Yedek parçalar ve aksesuarlar
Deneyimli mühendisler ekibimiz herhangi bir soruya cevap vermek ve kurulum, kurulum ve sorun giderme konusunda yardım sağlamak için mevcuttur. En yüksek seviye müşteri hizmetini sunmaya inanıyoruz.Teknik desteğimiz ve hizmetimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bizimle iletişime geçin.