Name: Ultra Yüksek Gerilimli MOSFET'ler için 4H-SiC Epitaksiyel Yüzeyler (100–500 µm, 6 inç)
Uploaded: 2026-03-09CDT00:47:59-05:00
Duration: 4 s
Description: Discover our 4H-SiC Epitaxial Wafers, engineered for ultra-high voltage MOSFETs (100–500 μm, 6 inch). Perfect for electric vehicles, smart grids, and renewable energy, these wafers offer superior thermal properties and customizable parameters for next-gen power electronics.

sohbet Bizimle iletişim kur

Ultra Yüksek Gerilimli MOSFET'ler için 4H-SiC Epitaksiyel Yüzeyler (100–500 µm, 6 inç)

Diğer Videolar

September 02, 2025

Anahtar kelime: Silisyum Karbür Gofret

sohbet Bizimle iletişim kur

Etiketler:

#silisyum karbür substrat #sic gofret #safir gofretler üzerinde silikon

Video Açıklaması:

Discover our 4H-SiC Epitaxial Wafers, engineered for ultra-high voltage MOSFETs (100–500 μm, 6 inch). Perfect for electric vehicles, smart grids, and renewable energy, these wafers offer superior thermal properties and customizable parameters for next-gen power electronics.

İlgili videolar