 
|
Kare SiC Windows Silisyum Karbür Yüzey 2 inç 4 inç 6 inç 8 inç
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | ZMKJ |
| Sertifika: | ROHS |
| Model numarası: | 10x10x0.5mmt |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 1 parça |
|---|---|
| Fiyat: | by case |
| Ambalaj bilgileri: | 100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi |
| Teslim süresi: | 1-6hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Yetenek temini: | 1-50 adet/ay |
|
Detay Bilgi |
|||
| Malzeme: | SiC tek kristal 4H-N tipi | Seviye: | Sıfır, Araştırma ve Dunmy notu |
|---|---|---|---|
| Kalınlıklar: | 0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5 | Başvuru: | Yeni enerji araçları, 5G iletişimi |
| Çap: | 2-8 inç veya 10x10mmt, 5x10mmt: | Renk: | Yeşil çay |
| Vurgulamak: | 4 inç Silisyum Karbür Gofret,Silisyum Karbür Pencere Yüzeyi,Kare SiC Gofret |
||
Ürün Açıklaması
Silisyum karbür gofret optik 1/2/3 inç SIC gofret satışı Sic Plaka Silikon Gofret Düz Yönlendirme Satılık İşletmeler 4 inç 6 inç tohum sic gofret 1.0mm Kalınlık 4h-N SIC Silisyum Karbür Gofret tohum büyümesi için 6H-N/6H-Yarı 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm cilalı Silisyum Karbür sic substrat yongaları Gofret
Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında
Silisyum karbür (SiC) veya carborundum, kimyasal formülü SiC olan silikon ve karbon içeren bir yarı iletkendir.SiC, yüksek sıcaklıklarda, yüksek voltajlarda veya her ikisinde birden çalışan yarı iletken elektronik cihazlarda kullanılır.SiC ayrıca önemli LED bileşenlerinden biridir, büyüyen GaN cihazları için popüler bir alt tabakadır ve aynı zamanda yüksek güçlü LED'lerde bir ısı yayıcı görevi görür.
|
Mülk
|
4H-SiC, Tek Kristal
|
6H-SiC, Tek Kristal
|
|
Kafes Parametreleri
|
a=3,076 Å c=10,053 Å
|
a=3,073 Å c=15,117 Å
|
|
Yığınlama Sırası
|
ABCB
|
ABCACB
|
|
Mohs Sertliği
|
≈9.2
|
≈9.2
|
|
Yoğunluk
|
3,21 gr/cm3
|
3,21 gr/cm3
|
|
termikGenişleme Katsayısı
|
4-5×10-6/K
|
4-5×10-6/K
|
|
Kırılma İndeksi @750nm
|
hayır = 2.61
ne = 2.66 |
hayır = 2.60
ne = 2.65 |
|
Dielektrik sabiti
|
c~9.66
|
c~9.66
|
|
Termal İletkenlik (N tipi, 0,02 ohm.cm)
|
a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K |
|
|
Termal İletkenlik (Yarı İzolasyonlu)
|
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K |
|
bant aralığı
|
3,23 eV
|
3,02 eV
|
|
Arıza Elektrik Alanı
|
3-5×106V/cm
|
3-5×106V/cm
|
|
Doygunluk Kayma Hızı
|
2.0×105m/sn
|
2.0×105m/sn
|
Yüksek saflıkta 4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu
| 2 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Alt Tabaka Spesifikasyonu | ||||||||||
| Seviye | Sıfır MPD Notu | Üretim Sınıfı | Araştırma Notu | Sahte Not | ||||||
| Çap | 50,8 mm±0,2 mm | |||||||||
| Kalınlık | 330 μm±25μm veya 430±25um | |||||||||
| Gofret Yönü | Eksen dışı : 4,0° <1120>'ye doğru 4H-N/4H-SI için ±0,5° Eksen üzerinde : 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI için <0001>±0,5° | |||||||||
| Mikro Boru Yoğunluğu | ≤0 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15cm-2 | ≤100cm-2 | ||||||
| Direnç | 4H-K | 0,015~0,028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-K | 0,02~0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Birincil Daire | {10-10}±5,0° | |||||||||
| Birincil Düz Uzunluk | 18,5 mm±2,0 mm | |||||||||
| İkincil Düz Uzunluk | 10,0 mm±2,0 mm | |||||||||
| İkincil Düz Yönlendirme | Silikon yüzü yukarı: 90° CW.Prime düz ±5.0° | |||||||||
| Kenar hariç tutma | 1 mm | |||||||||
| TTV/Yay/Çözgü | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| Pürüzlülük | Polonya Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çatlaklar | Hiçbiri | 1 izin verilir, ≤2 mm | Kümülatif uzunluk ≤ 10mm, tek uzunluk≤2mm | |||||||
| Yüksek yoğunluklu ışık ile Altıgen Plakalar | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤3% | |||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıkla Politip Alanlar | Hiçbiri | Kümülatif alan ≤2% | Kümülatif alan ≤5% | |||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çizikler | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 3 çizik | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik | |||||||
| kenar çipi | Hiçbiri | 3 izin verilir, her biri ≤0,5 mm | 5 izin verilir, her biri ≤1 mm | |||||||
SiC Uygulamaları
Silisyum karbür (SiC) kristalleri benzersiz fiziksel ve elektronik özelliklere sahiptir.Silisyum Karbür tabanlı cihazlar, kısa dalga boyu optoelektronik, yüksek sıcaklık, radyasyona dayanıklı uygulamalar için kullanılmıştır.SiC ile yapılan yüksek güçlü ve yüksek frekanslı elektronik cihazlar, Si ve GaAs tabanlı cihazlardan üstündür.Aşağıda, SiC substratlarının bazı popüler uygulamaları bulunmaktadır.
Diğer ürünler
8 inçlik SiC gofret sahte sınıf 2 inçlik SiC gofret
Paketleme – Lojistik
Paketin her detayı, temizlik, anti-statik ve şok tedavisi ile ilgileniyoruz.
Ürünün miktarına ve şekline göre farklı bir paketleme işlemi yapacağız!100 dereceli temizlik odasında neredeyse tek gofret kasetleri veya 25 adet kaset ile.