2-4 inç N / P TİPİ Yarı İletken Substrat InAs Olarak Monokristal Kristal Yüzey Gofret

Yarı İletken için 2-4 inç Galyum antimonide GaSb Substrat Tek Kristal Monokristal

InAsSb / In-AsPSb, InNAsSb ve diğer heterojonksiyon materyalleri, substrat olarak InAs tek kristal üzerinde büyütülebilir ve dalga boyu 2 ila 14 μm olan kızılötesi ışık yayan bir cihaz imal edilebilir.AlGaSb süper örgü yapı malzemesi, InAs tek kristal substrat kullanılarak epitaksiyel olarak da büyütülebilir.Orta kızılötesi kuantum kademeli lazer.Bu kızılötesi cihazlar, gaz izleme, düşük kayıplı fiber iletişimi, vb. Alanlarında iyi uygulama olasılıklarına sahiptir. Ayrıca, InAs tekli kristalleri yüksek elektron hareketliliğine sahiptir ve Hall cihazları yapmak için ideal malzemelerdir.

Uygulamalar:
InAs tek kristal, 2-12 μm dalga boyuna sahip kızılötesi ışık yayan bir cihaz üretmek için InAsSb / InAsPSb veya InAsPSb gibi bir heteroyapı malzemesini büyütmek için bir substrat malzemesi olarak kullanılabilir.InAsPSb süper örgü yapı malzemesi, bir orta kızılötesi kuantum kademeli lazer imal etmek için InAs tekli kristal substrat kullanılarak epitaksiyel olarak büyütülebilir.Bu kızılötesi cihazlar, gaz algılama ve düşük kayıplı fiber iletişim alanında iyi uygulama olanaklarına sahiptir.Ek olarak, InAs tek kristaller yüksek elektron hareketliliğine sahiptir ve Hall cihazları yapmak için ideal bir malzemedir.

Özellikleri:
1. Kristal, olgun teknoloji ve istikrarlı elektrik performansı ile sıvı sızdırmaz düz çekme teknolojisi (LEC) ile büyütülür.
2, hassas yönlendirme için X-ışını yönlü alet kullanarak, kristal yönelim sapması sadece ± 0.5 °
3, gofret kimyasal mekanik parlatma (CMP) teknolojisi, yüzey pürüzlülüğü <0.5nm ile parlatılır
4, "kullanıma hazır açık kutu" gereksinimlerini elde etmek için
5, kullanıcı ihtiyaçlarına göre, özel şartnameler ürün işleme