 |
Kızılötesi Bant 100/110 2 İnç için SSP Germanyum Yarı İletken Yüzey Ge Gofretler
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | ZMSH |
| Sertifika: | ROHS |
| Model numarası: | 2iNCH Ge gofret |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 3 parça |
|---|---|
| Fiyat: | by specification |
| Ambalaj bilgileri: | 100 dereceli temizlik odası altında tek gofret konteyner kutusu |
| Teslim süresi: | 2-4hafta; |
| Ödeme koşulları: | T/T, Batı Birliği |
| Yetenek temini: | 100 ADET/AY |
|
Detay Bilgi |
|||
| Malzeme: | Germanyum kristali | Oryantasyon: | 100/110 |
|---|---|---|---|
| Boyut: | 2 inç | Kalınlık: | 325um |
| katkılı: | N-tipi Sb-katkılı veya Ga-katkılı | Yüzey: | SSP |
| televizyon: | 《10um | özdirenç: | 1-10ohm.cm |
| ADEDI: | 10 parça | Başvuru: | kızılötesi bant |
| Vurgulamak: | SSP Germanyum Yarı İletken Yüzey,Kızılötesi Bant Ge Gofretler,Yarı İletken Yüzey 2 İnç |
||
Ürün Açıklaması
Kızılötesi Co2 lazerler için 2 inç N tipi tek taraflı cilalı Ge gofret Germanyum substrat Ge penceresi
Çap:25.4mm Kalınlık:0.325mm
Shanghai Famous Trade Co.Ltd, VGF / LEC tarafından yetiştirilen Ge gofretlerinin kısaltması olan 2”, 3”, 4” ve 6” germanyum gofretler sunmaktadır.Hall etkisi deneyleri için hafif katkılı P ve N tipi Germanyum gofretler de kullanılabilir.Oda sıcaklığında, kristalin germanyum kırılgandır ve çok az plastisiteye sahiptir.Germanyum yarı iletken özelliklere sahiptir.Yüksek saflıkta germanyum, P-tipi germanyum yarı iletkenleri elde etmek için üç değerlikli elementler (indiyum, galyum ve bor gibi) ile katkılanır;ve beş değerlikli elementler (antimon, arsenik ve fosfor gibi) N-tipi germanyum yarı iletkenleri elde etmek için katkılanır.Germanyum, yüksek elektron hareketliliği ve yüksek delik hareketliliği gibi iyi yarı iletken özelliklere sahiptir.
Germanyum Gofret Prosesi
Bilim ve teknolojinin ilerlemesiyle, germanyum gofret üreticilerinin işleme tekniği giderek daha olgunlaşıyor.Germanyum gofret üretiminde, kalıntı işlemeden gelen germanyum dioksit, klorlama ve hidroliz adımlarında daha da saflaştırılır.
1) Bölge rafinasyonu sırasında yüksek saflıkta germanyum elde edilir.
2) Czochralski işlemi ile bir germanyum kristali üretilir.
3) Germanyum gofret çeşitli kesme, taşlama ve dağlama adımlarıyla üretilir.
4) Gofretler temizlenir ve kontrol edilir.Bu işlem sırasında gofretler özel gereksinimlere göre tek taraflı cilalanır veya çift taraflı cilalanır, epi-hazır gofret gelir.
5) İnce germanyum gofretler, nitrojen atmosferi altında tek gofret kaplarında paketlenir.
Germanyum Uygulaması:
Germanyum boş veya pencere, ticari güvenlik, yangınla mücadele ve endüstriyel izleme ekipmanları için gece görüşü ve termografik görüntüleme çözümlerinde kullanılır.Ayrıca analitik ve ölçüm ekipmanları için filtreler, uzaktan sıcaklık ölçümü için pencereler ve lazerler için aynalar olarak kullanılırlar.
İnce Germanyum substratları, III-V üçlü eklemli güneş pillerinde ve güç Konsantre PV (CPV) sistemlerinde ve uzun geçişli bir SWIR filtre uygulaması için optik filtre substratı olarak kullanılır.
Germanyum Gofret Genel Özellikleri
| Genel Özellikler Yapısı | Kübik, a = 5.6754 Å | ||
| Yoğunluk: 5.765 g/cm3 | |||
| Erime Noktası: 937.4 oC | |||
| Termal İletkenlik: 640 | |||
| Kristal Büyüme Teknolojisi | Czochralski | ||
| Doping mevcut | katkısız | SB Doping | Doping In veya Ga |
| İletken Tip | / | N | P |
| Direnç, ohm.cm | >35 | < 0.05 | 0,05 – 0,1 |
| EPD | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 | < 5×103/cm2 |
| < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | < 5×102/cm2 | |
Ürün ayrıntısı:
10³ atom/cm³'den az kirlilik seviyesi
Malzeme : Ge
Büyüme : cz
Sınıf : Birinci sınıf
Tip/dopant : Tip-N, katkısız
Yön : [100] ±0,3º
Çap : 25,4 mm ±0,2 mm
Kalınlık : 325 µm ±15 µm
Düz : 32 mm ±2 mm @ [110]±1º
Direnç : 55-65 Ohm.cm
EPD: < 5000
Ön taraf : Cilalı (epi hazır, Ra <0,5 nm)
Arka taraf: Zemin/kazınmış
TTV : <10;YAY :<10;ÇÖZGÜ :<15um;
Parçacıklar: 0.3
Lazer markalama : yok
Ambalaj: tekli gofret
S1.fabrika mısın