Yarım yalıtımlı GaN-Silicon Wafer Serbest Gallium Nitride Substratları

Galiyum Nitrür Substratlar GaN Wafers GaN-On-Silicon Özgür-Durma Substrat Yarım İğrenç

2 ila 8 inçlik galyum nitrit (GaN) tek kristal substrat veya epitaksyal levha sunabiliriz ve safir / silikon bazlı 2 ila 8 inçlik GaN epitaksyal levhalar mevcuttur.

The rapid development of the first and second generation semiconductor materials represented by silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) has promoted the rapid development of microelectronics and optoelectronics technologyBununla birlikte, malzemenin sınırlı özellikleri nedeniyle, bu yarı iletken malzemelerden yapılan cihazların çoğu sadece 200 ° C'nin altındaki ortamda çalışabilir.modern elektronik teknolojinin yüksek sıcaklık gereksinimlerini karşılayamayan, yüksek frekanslı, yüksek basınçlı ve radyasyona karşı cihazlar.

Gallium nitrit (GaN), silikon karbid (SiC) malzemeleri gibi, geniş bant boşluğu genişliği, büyük bant boşluğu genişliği, yüksek termal iletkenliğe sahip üçüncü nesil yarı iletken malzemelere aittir.Yüksek elektron doygunluk göç oranıGaN cihazları yüksek frekansta geniş bir uygulama potansiyeline sahiptir.LED enerji tasarruflu aydınlatma gibi yüksek hızlı ve yüksek güç talebi alanları, lazer projeksiyon ekranı, yeni enerji araçları, akıllı şebeke, 5G iletişim.

Üçüncü nesil yarı iletken malzemeler, esas olarak SiC, GaN, elmas vb. içerir, çünkü bant boşluğu genişliği (Eg) 2,3 elektron voltan (eV) veya daha büyüktür.geniş bant boşluk yarı iletken malzemeleri olarak da bilinirBirinci ve ikinci nesil yarı iletken malzemeleri ile karşılaştırıldığında, üçüncü nesil yarı iletken malzemelerinin yüksek termal iletkenlik, yüksek parçalanma elektrik alanı,Yüksek doymuş elektron göçü oranı, ve yüksek bağlanma enerjisi, yüksek sıcaklık, yüksek güç, yüksek basınç için modern elektronik teknolojinin yeni gereksinimlerini karşılayabilirYüksek frekans ve radyasyon direnci ve diğer zor koşullarUlusal savunma, havacılık, havacılık, petrol araştırması, optik depolama vb. alanlarında önemli uygulama umutlarına sahiptir.ve geniş bant iletişim gibi birçok stratejik sektörde enerji kaybını %50'den fazla azaltabilir, güneş enerjisi, otomotiv üretimi, yarı iletken aydınlatma ve akıllı şebeke ve ekipman hacmini %75'ten fazla azaltabilir,İnsan bilim ve teknolojisinin gelişimi için önemli bir dönüm noktası olan.

* Müşteri gereksinimlerine göre özelleştirilebilir, farklı yapı silikon, safir, SiC tabanlı GaN epitaksiyel levha

Diğer ilgili ürünlerimiz, levhalar

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. Shanghai şehrinde bulunur, Çin'in en iyi şehri olan ve fabrikamız 2014 yılında Wuxi şehrinde kurulmuştur.

Çeşitli malzemeleri waferlere, substratlara ve elektronik, optik, optoelektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan optik cam parçalarına dönüştürmede uzmanlaştık.Ayrıca birçok yerli ve yurtdışındaki üniversite ile de yakın işbirliği yapıyoruz., araştırma kurumları ve şirketleri, araştırma ve geliştirme projeleri için özelleştirilmiş ürünler ve hizmetler sunar.

Tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek bizim vizyonumuz.