logo
İyi fiyat  çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Ev Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
Silisyum Karbür Gofret
Created with Pixso.

12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid)

12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid)

Marka Adı: ZMSH
Adedi: 1
fiyat: by case
Paketleme Ayrıntıları: özel kartonlar
Ödeme Şartları: T/T
Ayrıntılı Bilgiler
Menşe yeri:
Çin
Politip:
4h
Doping Türü:
N-Tipi
Çap:
300 ± 0,5 mm
kalınlık:
Yeşil: 600 ± 100 µm / Beyaz-şeffaf: 700 ± 100 µm
Yüzey Yönü (Kesilmemiş):
4° \<11-20\> ± 0,5°'ye doğru
TTV (Toplam Kalınlık Değişimi):
≤ 10 mikron
Yetenek temini:
Duruma göre
Ürün Tanımı

12 İnçlik Silisyum Karbür (SiC) Yonga - Ürün Tanıtımı

Ürüne Genel Bakış

12 inçlik Silisyum Karbür (SiC) yonga, yüksek performanslı güç elektroniği cihazlarının büyük ölçekli üretimi için tasarlanmış, yeni nesil geniş bant aralıklı yarı iletken alt tabakalarını temsil eder. Geleneksel 6 inç ve 8 inç SiC yongalarıyla karşılaştırıldığında, 12 inç formatı, yonga başına kullanılabilir yonga alanını önemli ölçüde artırır, üretim verimliliğini artırır ve uzun vadeli maliyet düşüşü için güçlü bir potansiyel sunar.

 

Silisyum karbür, yüksek kırılma elektrik alanı dayanımı, mükemmel termal iletkenlik, yüksek doygun elektron sürüklenme hızı ve olağanüstü termal kararlılık özelliklerine sahip geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzemedir. Bu özellikler, 12 inçlik SiC yongalarını yüksek voltajlı, yüksek güçlü ve yüksek sıcaklıklı uygulamalar için ideal bir platform haline getirir.

 

12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid) 0       12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid) 1


Malzeme ve Kristal Özellikleri

  • Malzeme: Tek kristal Silisyum Karbür (SiC)

  • Politipe: 4H-SiC (güç cihazları için standart)

  • İletkenlik Tipi:

    • N-tipi (Azot katkılı)

    • Yarı yalıtkan (özelleştirilebilir)

12 inçlik SiC tek kristallerinin büyümesi, sıcaklık gradyanlarının, gerilim dağılımının ve safsızlık birleşiminin gelişmiş kontrolünü gerektirir. Büyük çaplı, düşük kusurlu SiC külçeleri elde etmek için tipik olarak geliştirilmiş PVT (Fiziksel Buhar Taşınımı) kristal büyüme teknolojisi kullanılır.

 

 


12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid) 2

Üretim Süreci

12 inçlik SiC yongaların üretimi bir dizi yüksek hassasiyetli işlem içerir:

  1. Büyük çaplı tek kristal büyümesi

  2. Kristal yönlendirmesi ve külçe dilimleme

  3. Hassas taşlama ve yonga inceltme

  4. Tek taraflı veya çift taraflı parlatma

  5. Gelişmiş temizleme ve kapsamlı denetim

Her adım, mükemmel düzlük, kalınlık homojenliği ve yüzey kalitesi sağlamak için sıkı bir şekilde kontrol edilir.

 


Temel Avantajlar

  • Yonga Başına Daha Yüksek Cihaz Verimi: Daha büyük yonga boyutu, çalışma başına daha fazla yonga sağlar

  • Geliştirilmiş Üretim Verimliliği: Yeni nesil fabrikalar için optimize edilmiştir

  • Maliyet Azaltma Potansiyeli: Yüksek hacimli üretimde cihaz başına daha düşük maliyet

  • Üstün Termal ve Elektriksel Performans: Zorlu çalışma koşulları için idealdir

  • Güçlü İşlem Uyumluluğu: Ana akım SiC güç cihazı üretimi için uygundur

 12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid) 3


Tipik Uygulamalar

  • Elektrikli araçlar (SiC MOSFET'ler, SiC Schottky diyotları)

  • Dahili şarj cihazları (OBC) ve çekiş invertörleri

  • Hızlı şarj altyapısı ve güç modülleri

  • Güneş invertörleri ve enerji depolama sistemleri

  • Endüstriyel motor sürücüleri ve demiryolu sistemleri

  • Üst düzey güç elektroniği ve savunma uygulamaları

 

12 inç (300 mm) SiC (Silikon Karbid) 4

 


Tipik Özellikler (Özelleştirilebilir)

Öğe N-tipi Üretim Sınıfı (P) N-tipi Kukla Sınıfı (D) SI-tipi Üretim Sınıfı (P)
Politipe 4H 4H 4H
Katkılama Tipi N-tipi N-tipi /
Çap 300 ± 0,5 mm 300 ± 0,5 mm 300 ± 0,5 mm
Kalınlık Yeşil: 600 ± 100 µm / Beyaz-şeffaf: 700 ± 100 µm Yeşil: 600 ± 100 µm / Beyaz-şeffaf: 700 ± 100 µm Yeşil: 600 ± 100 µm / Beyaz-şeffaf: 700 ± 100 µm
Yüzey Yönü (Kesik) 4° yönünde ± 0,5° 4° yönünde ± 0,5° 4° yönünde ± 0,5°
Yonga Kimliği / Birincil Düz Çentik (tam yuvarlak yonga) Çentik (tam yuvarlak yonga) Çentik (tam yuvarlak yonga)
Çentik Derinliği 1,0 – 1,5 mm 1,0 – 1,5 mm 1,0 – 1,5 mm
TTV (Toplam Kalınlık Değişimi) ≤ 10 µm NA ≤ 10 µm
MPD (Mikro Boru Yoğunluğu) ≤ 5 adet/cm² NA ≤ 5 adet/cm²
Özdirenç Ölçüm bölgesi: Merkez 8 inç Alanı Ölçüm bölgesi: Merkez 8 inç Alanı Ölçüm bölgesi: Merkez 8 inç Alanı
Si-yüzey Yüzey İşlemi CMP (Cilalı) Taşlama CMP (Cilalı)
Kenar İşleme Pah Pah Yok Pah
Kenar Yonga (İzin Verilebilir) Yonga derinliği < 0,5 mm Yonga derinliği < 1,0 mm Yonga derinliği < 0,5 mm
Lazer İşaretleme C-tarafı işaretleme / Müşteri gereksinimlerine göre C-tarafı işaretleme / Müşteri gereksinimlerine göre C-tarafı işaretleme / Müşteri gereksinimlerine göre
Politipe Alanı (Polarize Işık) Politipe yok (kenar hariç 3 mm) Polimorfizm alanı < %5 (kenar hariç 3 mm) Politipe yok (kenar hariç 3 mm)
Çatlaklar (Yüksek Yoğunluklu Işık) Çatlak yok (kenar hariç 3 mm) Çatlak yok (kenar hariç 3 mm) Çatlak yok (kenar hariç 3 mm)

 


Sıkça Sorulan Sorular (SSS)

S1: 12 inçlik SiC yongalar seri üretime hazır mı?
C: 12 inçlik SiC yongalar şu anda endüstrileşmenin ilk aşamasındadır ve dünya çapındaki önde gelen üreticiler tarafından pilot ve hacimli üretim için aktif olarak değerlendirilmektedir.

 

S2: 12 inçlik SiC yongaların 8 inçlik yongalara göre avantajları nelerdir?
C: 12 inç formatı, yonga başına yonga çıktısını önemli ölçüde artırır, fabrika verimini artırır ve uzun vadeli maliyet avantajları sunar.

 

S3: Yonga özellikleri özelleştirilebilir mi?
C: Evet, iletkenlik tipi, kalınlık, parlatma yöntemi ve denetim derecesi gibi parametreler özelleştirilebilir.