Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Safir Yüzey

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Bize Ulaşın

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Şimdi İletişime Geçin

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret

Marka Adı:	ZMKJ
Adedi:	5 adet
fiyat:	by case
Paketleme Ayrıntıları:	temizlik odasında tek gofret kabı
Ödeme Şartları:	T/T, Western Union, Paypal

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Tanımı

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

yüzey:

metal kaplamalı safir gofret

Katman:

safir şablon

Tabaka kalınlığı:

1-5um

iletkenlik tipi:

N/P

Oryantasyon:

0001

Başvuru:

yüksek güçlü/yüksek frekanslı elektronik cihazlar

Uygulama 2:

5G testere/BAW Cihazları

silikon kalınlığı:

525um/625um/725um

Yetenek temini:

50 adet/ay

Vurgulamak:

Safir Gofret Devre Kartı

Metalleştirme Safir Gofret

Safir Yarı İletken Yüzey

Ürün Tanımı

2 inç 4 inç 4 inç Safir tabanlı GaN şablonları Safir alt tabaka üzerinde GaN filmi

GaN'nin Özellikleri

GaN'nin kimyasal özellikleri

1) Oda sıcaklığında GaN suda, asitte ve alkalide çözünmez.
2) Sıcak alkali solüsyonda çok yavaş çözünür.
3) NaOH, H2SO4 ve H3PO4, düşük kaliteli GaN'yi hızlı bir şekilde aşındırabilir, bu düşük kaliteli GaN kristal kusur tespiti için kullanılabilir.
4) HCL veya hidrojendeki GaN, yüksek sıcaklıkta kararsız özellikler gösterir.
5) GaN nitrojen altında en kararlı olandır.

GaN'nin elektriksel özellikleri

1) GaN'ın elektriksel özellikleri cihazı etkileyen en önemli faktörlerdir.

2) Katkısız GaN her durumda n idi ve en iyi numunenin elektron konsantrasyonu yaklaşık 4*(10^16)/c㎡ idi.

3) Genel olarak, hazırlanan P numuneleri yüksek oranda dengelenir.

GaN'nin optik özellikleri

1) Yüksek bant genişliğine (2.3~6.2eV) sahip geniş bant boşluklu bileşik yarı iletken malzeme, kırmızı sarı yeşil, mavi, mor ve ultraviyole spektrumunu kapsayabilir, şu ana kadar başka herhangi bir yarı iletken malzemenin elde edemediği kadardır.

2) Esas olarak mavi ve mor ışık yayan cihazlarda kullanılır.

GaN Malzemenin Özellikleri

1) Yüksek frekans özelliği, 300G Hz'e ulaşır.(Si 10G'dir ve GaAs 80G'dir)

2) Yüksek sıcaklık özelliği, 300 ℃'de Normal çalışma, havacılık, askeri ve diğer yüksek sıcaklık ortamları için çok uygundur.

3) Elektron kayması yüksek doyma hızına, düşük dielektrik sabitine ve iyi termal iletkenliğe sahiptir.

4) Asit ve alkali direnci, korozyon direnci, zorlu ortamlarda kullanılabilir.

5) Yüksek voltaj özellikleri, darbe direnci, yüksek güvenilirlik.

6) Büyük güç, iletişim ekipmanı çok istekli.

GaN Uygulaması

GaN'nin ana kullanımı:

1) ışık yayan diyotlar, LED

2) alan etkili transistörler, FET

3) lazer diyotları, LD

Şartname

Karakteristik Şartname

Diğer ilgili 4İNÇ GaN Şablon Spesifikasyonu

	GaN/ Al₂O₃ Yüzeyler (4") 4 inç
Öğe	katkısız	N tipi	yüksek katkılı N tipi
Boyut (mm)	Φ100,0±0,5 (4")
Yüzey Yapısı	Safir üzerinde GaN(0001)
Yüzey Bitmiş	(Standart: SSP Seçeneği: DSP)
kalınlık (um)	4,5±0,5;20±2; Özelleştirilmiş
İletim Tipi	katkısız	N tipi	Yüksek katkılı N tipi
Özdirenç (Ω·cm)(300K)	≤0,5	≤0,05	≤0,01
GaN Kalınlık Tekdüzeliği	≤±10% (4")
Dislokasyon Yoğunluğu (cm-2)	≤5×108
Kullanılabilir Yüzey Alanı	>%90
paket	Sınıf 100 temiz oda ortamında paketlenmiştir.

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 1

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 2

Kristal yapı	Wurtzite
Kafes sabiti (Å)	a=3,112, c=4,982
İletim bandı tipi	Doğrudan bant aralığı
Yoğunluk (g/cm3)	3.23
Yüzey mikrosertliği (Knoop testi)	800
Erime noktası (℃)	2750 (N2'de 10-100 bar)
Termal iletkenlik (W/m·K)	320
Bant aralığı enerjisi (eV)	6.28
Elektron hareketliliği (V·s/cm2)	1100
Elektrik arıza alanı (MV/cm)	11.7

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 4

Etiketler:

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Ürün ayrıntıları

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret

Safir Gofret Devre Kartı

Metalleştirme Safir Gofret

Safir Yarı İletken Yüzey

GaN'nin kimyasal özellikleri

GaN'nin elektriksel özellikleri

GaN'nin optik özellikleri

GaN Malzemenin Özellikleri

1) Yüksek frekans özelliği, 300G Hz'e ulaşır.(Si 10G'dir ve GaAs 80G'dir)

GaN'nin ana kullanımı: