• Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret
  • Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret
  • Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret
  • Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret
Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri: Çin
Marka adı: ZMKJ

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı: 5 adet
Fiyat: by case
Ambalaj bilgileri: temizlik odasında tek gofret kabı
Teslim süresi: 30 gün içinde
Ödeme koşulları: T/T, Western Union, Paypal
Yetenek temini: 50 adet/ay
En iyi fiyat İletişim

Detay Bilgi

yüzey: metal kaplamalı safir gofret Katman: safir şablon
Tabaka kalınlığı: 1-5um iletkenlik tipi: N/P
Oryantasyon: 0001 Başvuru: yüksek güçlü/yüksek frekanslı elektronik cihazlar
Uygulama 2: 5G testere/BAW Cihazları silikon kalınlığı: 525um/625um/725um
Vurgulamak:

Safir Gofret Devre Kartı

,

Metalleştirme Safir Gofret

,

Safir Yarı İletken Yüzey

Ürün Açıklaması

2 inç 4 inç 4 inç Safir tabanlı GaN şablonları Safir alt tabaka üzerinde GaN filmi

 

GaN'nin Özellikleri

 

GaN'nin kimyasal özellikleri

1) Oda sıcaklığında GaN suda, asitte ve alkalide çözünmez.

2) Sıcak alkali solüsyonda çok yavaş çözünür.

3) NaOH, H2SO4 ve H3PO4, düşük kaliteli GaN'yi hızlı bir şekilde aşındırabilir, bu düşük kaliteli GaN kristal kusur tespiti için kullanılabilir.

4) HCL veya hidrojendeki GaN, yüksek sıcaklıkta kararsız özellikler gösterir.

5) GaN nitrojen altında en kararlı olandır.

GaN'nin elektriksel özellikleri

1) GaN'ın elektriksel özellikleri cihazı etkileyen en önemli faktörlerdir.

2) Katkısız GaN her durumda n idi ve en iyi numunenin elektron konsantrasyonu yaklaşık 4*(10^16)/c㎡ idi.

3) Genel olarak, hazırlanan P numuneleri yüksek oranda dengelenir.

GaN'nin optik özellikleri

1) Yüksek bant genişliğine (2.3~6.2eV) sahip geniş bant boşluklu bileşik yarı iletken malzeme, kırmızı sarı yeşil, mavi, mor ve ultraviyole spektrumunu kapsayabilir, şu ana kadar başka herhangi bir yarı iletken malzemenin elde edemediği kadardır.

2) Esas olarak mavi ve mor ışık yayan cihazlarda kullanılır.

GaN Malzemenin Özellikleri

1) Yüksek frekans özelliği, 300G Hz'e ulaşır.(Si 10G'dir ve GaAs 80G'dir)

2) Yüksek sıcaklık özelliği, 300 ℃'de Normal çalışma, havacılık, askeri ve diğer yüksek sıcaklık ortamları için çok uygundur.

3) Elektron kayması yüksek doyma hızına, düşük dielektrik sabitine ve iyi termal iletkenliğe sahiptir.

4) Asit ve alkali direnci, korozyon direnci, zorlu ortamlarda kullanılabilir.

5) Yüksek voltaj özellikleri, darbe direnci, yüksek güvenilirlik.

6) Büyük güç, iletişim ekipmanı çok istekli.

 
GaN Uygulaması

GaN'nin ana kullanımı:

1) ışık yayan diyotlar, LED

2) alan etkili transistörler, FET

3) lazer diyotları, LD

 
             Şartname
 
CMetalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 0Karakteristik Şartname

 

Diğer ilgili 4İNÇ GaN Şablon Spesifikasyonu

 

  GaN/ Al₂O₃ Yüzeyler (4") 4 inç
Öğe katkısız N tipi

yüksek katkılı

N tipi

Boyut (mm) Φ100,0±0,5 (4")
Yüzey Yapısı Safir üzerinde GaN(0001)
Yüzey Bitmiş (Standart: SSP Seçeneği: DSP)
kalınlık (um) 4,5±0,5;20±2; Özelleştirilmiş
İletim Tipi katkısız N tipi Yüksek katkılı N tipi
Özdirenç (Ω·cm)(300K) ≤0,5 ≤0,05 ≤0,01
GaN Kalınlık Tekdüzeliği
 
≤±10% (4")
Dislokasyon Yoğunluğu (cm-2)
 
≤5×108
Kullanılabilir Yüzey Alanı >%90
paket Sınıf 100 temiz oda ortamında paketlenmiştir.
 

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 1

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 2Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 3

Kristal yapı

Wurtzite

Kafes sabiti (Å) a=3,112, c=4,982
İletim bandı tipi Doğrudan bant aralığı
Yoğunluk (g/cm3) 3.23
Yüzey mikrosertliği (Knoop testi) 800
Erime noktası (℃) 2750 (N2'de 10-100 bar)
Termal iletkenlik (W/m·K) 320
Bant aralığı enerjisi (eV) 6.28
Elektron hareketliliği (V·s/cm2) 1100
Elektrik arıza alanı (MV/cm) 11.7

Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret 4

Bu ürün hakkında daha fazla bilgi edinmek istiyorum
İlgileniyorum Metalizasyon Devre Kartlı Safir Gofret bana tür, boyut, miktar, malzeme gibi daha fazla ayrıntı gönderebilir misiniz
Teşekkürler!
Cevabını bekliyorum.