Marka Adı: | ZMSH |
Adedi: | 5 |
fiyat: | by case |
Paketleme Ayrıntıları: | özel kartonlar |
Ödeme Şartları: | T/T |
Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan SiC Yonga Levhaları yeni nesil güç elektroniği, RF/mikrodalga cihazları ve optoelektronik için tasarlanmıştır. Yonga levhalarımız, optimize edilmiş bir Fiziksel Buhar Taşınımı (PVT) büyüme süreci ve derin seviyeli telafi tavlaması kombinasyonu kullanılarak 4H- veya 6H-SiC tek kristallerinden üretilir. Sonuç olarak elde edilen yonga levha şunlara sahiptir:
Ultra Yüksek Direnç: ≥1×10¹² Ω·cm, yüksek voltajlı anahtarlama cihazlarında kaçak akımları bastırmak için
Geniş Bant Aralığı (~3,2 eV): Yüksek sıcaklık, yüksek alan ve yüksek radyasyon koşullarında üstün elektriksel performansı korur
Olağanüstü Isıl İletkenlik: >4,9 W/cm·K, yüksek güçlü modüllerde hızlı ısı uzaklaştırma için
Olağanüstü Mekanik Dayanım: 9,0 Mohs sertliği (elmastan sonra ikinci sırada), düşük termal genleşme ve mükemmel kimyasal kararlılık
Atomik Düzgün Yüzey: Ra < 0,4 nm ve kusur yoğunluğu < 1/cm², MOCVD/HVPE epitaksi ve mikro-nano imalat için idealdir
Mevcut Boyutlar: 50, 75, 100, 150, 200 mm (2″–8″) standart; talep üzerine 250 mm'ye kadar özel çaplar.
Kalınlık Aralığı: ±5 μm tolerans ile 200–1 000 μm.
Yüksek Saflıkta SiC Tozu Hazırlama
Başlangıç malzemesi: Metal kirleticileri (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) azaltmak ve çok kristalli inklüzyonları ortadan kaldırmak için çok aşamalı vakum süblimasyonu ve ısıl işlemle saflaştırılmış 6N-sınıfı SiC tozu.
Modifiye PVT Tek Kristal Büyümesi
Ortam: 10⁻³–10⁻² Torr'e yakın vakum
Sıcaklık: ~2 500 °C'ye ısıtılmış grafit pota; kontrollü termal gradyan ΔT ≈ 10–20 °C/cm
Gaz Akışı ve Pota Tasarımı: Gözenekli grafit ayırıcılar ve özel pota geometrisi, düzgün buhar dağılımı sağlar ve istenmeyen nükleasyonu engeller
Dinamik Besleme ve Döndürme: Periyodik SiC tozu takviyesi ve kristal çubuk döndürme, düşük dislokasyon yoğunlukları (< 3 000 cm⁻²) ve tutarlı 4H/6H yönelimi sağlar
Derin Seviyeli Telafi Tavlaması
Hidrojen Tavlaması: Derin seviyeli tuzakları etkinleştirmek ve intrinsik taşıyıcıları telafi etmek için birkaç saat boyunca H₂ atmosferinde 600–1 400 °C
N/Al Eş-Doping (İsteğe Bağlı): Direnç zirvelerini yönlendiren kararlı donör-alıcı çiftleri oluşturmak için büyüme sırasında veya büyüme sonrası CVD sırasında Al (alıcı) ve N (donör) katkı maddelerinin hassas bir şekilde dahil edilmesi
Hassas Dilimleme ve Çok Aşamalı Laplama
Elmas Tel Kesme: Yonga levhaları 200–1 000 μm kalınlığa minimum hasar katmanı ile dilimler; kalınlık toleransı ±5 μm
Kaba'dan İnce'ye Laplama: Kesme hasarını gidermek ve parlatmaya hazırlamak için elmas aşındırıcıların sıralı kullanımı
Kimyasal Mekanik Parlatma (CMP)
Parlatma Ortamı: Hafif alkali süspansiyonda nano-oksit (SiO₂ veya CeO₂) bulamacı
Proses Kontrolü: Düşük stresli parlatma parametreleri, 0,2–0,4 nm RMS pürüzlülüğü sağlar ve mikro çizikleri ortadan kaldırır
Son Temizleme ve Sınıf-100 Ambalajlama
Çok Aşamalı Ultrasonik Temizleme: Organik çözücü → asit/baz işlemleri → deiyonize su durulama, hepsi Sınıf-100 temiz odada gerçekleştirilir
Kuruma ve Sızdırmazlık: Azotla temizleme, azotla dolu koruyucu torbalara kapatılır ve anti-statik, titreşimi azaltan dış kutulara yerleştirilir
No. | Yonga Levha Boyutu | Tip/Katkı Maddesi | Yönelim | Kalınlık | MPD | RT | Parlatma | Yüzey Pürüzlülüğü |
1 | 2" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 350 ± 25 um | <50 cm-2 | >=1E5 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
2 | 2" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 350 ± 25 um | <15 cm-2 | >=1E7 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
3 | 3" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 350 ± 25 um | <50 cm-2 | >=1E5 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
4 | 3" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 350 ± 25 um | <15 cm-2 | >=1E7 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
5 | 4" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 350 veya 500 ± 25 um | <50 cm-2 | >=1E5 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
6 | 4" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 350 veya 500 ± 25 um | <15 cm-2 | >=1E7 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
7 | 6" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 500 ± 25 um | <50 cm-2 | >=1E5 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
8 | 6" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 500 ± 25 um | <15 cm-2 | >=1E7 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
9 | 8" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 500 ± 25 um | <50 cm-2 | >=1E5 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
10 | 8" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 500 ± 25 um | <15 cm-2 | >=1E7 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
11 | 12" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 500 ± 25 um | <50 cm-2 | >=1E5 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
12 | 12" 4H | Yarı yalıtkan / V veya katkısız | <0001>+/-0,5 derece | 500 ± 25 um | <15 cm-2 | >=1E7 Ω•cm | Çift yüzey parlatılmış/Si yüzeyi epiye hazır, CMP ile | <0,5 nm |
Yüksek Güç Elektroniği
SiC MOSFET'ler, Schottky diyotları, yüksek voltajlı invertörler ve hızlı şarjlı EV güç modülleri, SiC'nin düşük açık direncinin ve yüksek kırılma alanının avantajlarından yararlanır.
RF ve Mikrodalga Sistemleri
5G/6G baz istasyonu güç amplifikatörleri, milimetre dalga radar modülleri ve uydu iletişimi ön uçları, SiC'nin yüksek frekans performansını ve radyasyona dayanıklılığını talep eder.
Optoelektronik ve Fotonik
UV-LED'ler, mavi lazer diyotları ve geniş bant aralıklı fotodedektörler, düzgün epitaksi için atomik olarak düzgün ve kusursuz bir substrattan yararlanır.
Aşırı Ortam Algılama
Yüksek sıcaklık basınç/sıcaklık sensörleri, gaz türbini izleme elemanları ve nükleer sınıf dedektörler, SiC'nin 600 °C'nin üzerindeki ve yüksek radyasyon akısı altındaki kararlılığından yararlanır.
Havacılık ve Savunma
Uydu güç elektroniği, füze kaynaklı radarlar ve aviyonik sistemler, SiC'nin vakum, sıcaklık döngüsü ve yüksek G ortamlarındaki sağlamlığını gerektirir.
Gelişmiş Araştırma ve Özel Çözümler
Kuantum hesaplama izolasyon substratları, mikro boşluk optikleri ve son teknoloji Ar-Ge için özel pencere şekilleri (küresel, V-oluklu, çokgen).
Neden iletken SiC yerine yarı yalıtkan SiC seçmelisiniz?
Yarı yalıtkan SiC, derin seviyeli telafi yoluyla ultra yüksek direnç sergiler ve yüksek voltajlı ve yüksek frekanslı cihazlarda kaçak akımları büyük ölçüde azaltır; oysa iletken SiC, daha düşük voltajlı veya güç MOSFET kanal uygulamaları için uygundur.
Bu yonga levhalar doğrudan epitaksiyel büyümeye girebilir mi?
Evet. MOCVD, HVPE veya MBE için optimize edilmiş, mükemmel epitaksiyel katman kalitesi sağlamak için yüzey işlemi ve kusur kontrolü ile tamamlanmış “epiye hazır” yarı yalıtkan yonga levhalar sunuyoruz.
Yonga levha temizliği nasıl garanti edilir?
Sınıf-100 temiz oda prosesi, çok aşamalı ultrasonik ve kimyasal temizleme artı azotla kapatılmış ambalaj, neredeyse sıfır partikül, organik kalıntı veya mikro çizik sağlar.
Tipik teslim süresi ve minimum sipariş nedir?
Numuneler (5 adede kadar) 7–10 iş günü içinde gönderilir. Üretim siparişleri (MOQ = 5 yonga levha), boyuta ve özel özelliklere bağlı olarak 4–6 hafta içinde teslim edilir.
Özel şekiller veya alt tabakalar sunuyor musunuz?
Evet. Standart dairesel yonga levhalara ek olarak, düzlemsel pencereler, V-oluklu parçalar, küresel lensler ve diğer özel geometriler üretiyoruz.
ZMSH, özel optik cam ve yeni kristal malzemelerin yüksek teknoloji geliştirme, üretimi ve satışında uzmanlaşmıştır. Ürünlerimiz optik elektronik, tüketici elektroniği ve askeriye hizmet vermektedir. Safir optik bileşenler, cep telefonu lens kapakları, Seramik, LT, Silisyum Karbür SIC, Kuvars ve yarı iletken kristal yonga levhaları sunuyoruz. Yetenekli uzmanlık ve son teknoloji ekipmanlarla, standart dışı ürün işleme konusunda mükemmeliz ve önde gelen bir optoelektronik malzeme yüksek teknoloji kuruluşu olmayı hedefliyoruz.