Marka Adı: | ZMSH |
Adedi: | 1 |
fiyat: | by case |
Paketleme Ayrıntıları: | özel kartonlar |
Ödeme Şartları: | T/T |
Elektrikli araçlar, akıllı şebekeler, yenilenebilir enerji ve yüksek güçlü endüstriyel sistemlerin hızlı gelişimi, daha yüksek voltajları, daha büyük güç yoğunluklarını ve gelişmiş verimliliği kaldırabilen yarı iletken cihazlara olan talebi artırmaktadır. Geniş bant aralıklı yarı iletkenler arasında, silisyum karbür (SiC), geniş bant aralığı, yüksek termal iletkenliği ve üstün kritik elektrik alan dayanımı nedeniyle tercih edilen malzeme olarak ortaya çıkmıştır.
4H-SiC epitaksiyel gofretlerimiz, özellikle ultra yüksek voltajlı MOSFET uygulamaları için tasarlanmıştır. 100 μm ila 500 μm arasında değişen epitaksiyel katman kalınlığına sahip bu gofretler, kV sınıfı güç cihazları için gerekli olan uzun sürüklenme bölgelerini sağlar. 100 μm, 200 μm ve 300 μm standart özelliklerinde ve 6 inç (150 mm) alt tabakalar üzerine inşa edilen bu gofretler, ölçeklenebilirliği mükemmel malzeme kalitesiyle birleştirerek, yeni nesil güç elektroniği için ideal bir temel oluşturur.
Kalınlık, doping konsantrasyonu, gofret yönü ve yüzey bitişi, belirli MOSFET tasarım gereksinimlerine göre uyarlanabilir.
Epitaksiyel katman, MOSFET cihazlarının performansını, özellikle de bozunum voltajını ve açık direnç dengesini belirlemede kritik bir faktördür.
100–200 μm katmanlar, iletim verimliliği ve engelleme kabiliyetini dengeleyerek orta ila yüksek voltajlı MOSFET'ler için çok uygundur.
200–500 μm katmanlar, ultra yüksek voltajlı cihazları (10 kV ve üzeri) mümkün kılarak, daha yüksek bozunum alanlarını destekleyen genişletilmiş sürüklenme bölgeleri sağlar.
Tüm kalınlık aralığında, tekdüzelik ±2% içinde dikkatle kontrol edilir ve gofretten gofrete ve partiden partiye tutarlılık sağlanır.
Bu esneklik, cihaz tasarımcılarının, seri üretimde tekrarlanabilirliği korurken, hedef voltaj sınıfları için en uygun kalınlığı seçmelerine olanak tanır.
Gofretlerimiz, son teknoloji Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) epitaksiyel büyüme teknolojisi kullanılarak üretilmektedir. Bu süreç, katman kalınlığının, doping konsantrasyonunun ve kristal kalitesinin
büyük kalınlıklarda bile hassas bir şekilde kontrol edilmesini sağlar.
CVD Epitaksi
Yüksek saflıkta gazlar ve optimize edilmiş büyüme koşulları, mükemmel yüzey morfolojisi ve düşük kusur yoğunluğu sağlar.
Kalın Katman Kontrolü
Tescilli proses tarifleri, ultra yüksek voltajlı MOSFET tasarımlarını destekleyen, tekdüze doping ve pürüzsüz yüzeylerle 500 μm'ye
kadar epitaksiyel kalınlığa olanak tanır.
Doping Tekdüzeliği
Konsantrasyon, 1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³
aralığında özelleştirilebilir ve ±5%'ten daha iyi tekdüzeliğe sahiptir. Bu, gofret boyunca tutarlı elektriksel performans sağlar.
Yüzey Hazırlığı
Gofretler, Kimyasal Mekanik Parlatma (CMP)
4H-SiC epitaksiyel gofretlerin Temel Avantajları
Ultra Yüksek Voltaj Kabiliyeti
Kalın epitaksiyel katmanlar (100–500 μm), MOSFET'lerin kV sınıfı bozunum voltajlarına ulaşmasını sağlar.
Olağanüstü Kristal Kalitesi
Düşük dislokasyon ve bazal düzlem kusurları (BPD'ler, TSD'ler) yoğunluğu, kaçak akımları en aza indirir ve cihaz güvenilirliğini sağlar.
Geniş Çaplı Alt Tabakalar
6 inçlik gofretler, yüksek hacimli üretimi destekler, cihaz başına maliyeti düşürür ve mevcut yarı iletken hatlarla proses uyumluluğunu artırır.
Üstün Termal Özellikler
4H-SiC'nin yüksek termal iletkenliği ve geniş bant aralığı özellikleri, cihazların yüksek güç ve sıcaklık koşullarında verimli bir şekilde çalışmasını sağlar.
Özelleştirilebilir Parametreler
Kalınlık, doping konsantrasyonu, gofret yönü ve yüzey bitişi, belirli MOSFET tasarım gereksinimlerine göre uyarlanabilir.
4H-SiC epitaksiyel gofretlerin Tipik Özellikleri | Parametre |
---|---|
Özellik | İletkenlik Tipi |
N-tipi (Nitrojen ile katkılanmış) | Özdirenç |
HERHANGİ BİR | Eksen Dışı Açı |
4° ± 0.5° kapalı (tipik olarak [11-20] yönüne doğru) | Kristal Yönü |
(0001) Si-yüzü | Kalınlık |
200–300 µm | Yüzey Bitişi |
Ön: CMP cilalı (epi-hazır) Arka: laplanmış veya cilalı (en hızlı seçenek) | TTV |
≤ 10 µm | BOW/Warp |
4H-SiC epitaksiyel gofretlerin Uygulama Alanları4H-SiC epitaksiyel gofretlerimiz, ultra yüksek voltaj uygulamalarındaki MOSFET cihazları
için tasarlanmıştır, bunlar şunları içerir:
Elektrikli araç çekiş invertörleri ve yüksek voltajlı şarj modülleri
Akıllı şebeke iletim ve dağıtım sistemleri
Yenilenebilir enerji invertörleri (güneş, rüzgar, enerji depolama)
SSS – Ultra Yüksek Voltajlı MOSFET'ler için 4H-SiC Epitaksiyel Gofretler
S1: SiC epitaksiyel gofretlerinizin iletkenlik türü nedir?
A1: Gofretlerimiz, MOSFET ve diğer güç cihazı uygulamaları için standart bir seçim olan nitrojen ile katkılanmış N-tipidir.
S2: Epitaksiyel katman için hangi kalınlıklar mevcuttur?
A2: 100–500 μm epitaksiyel kalınlık sağlıyoruz, 100 μm, 200 μm ve 300 μm'de standart tekliflerle. Talep üzerine özel kalınlıklar da üretilebilir.
S3: Kristal yönü ve eksen dışı açı nedir?