Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Yarı iletken yüzey

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Bize Ulaşın

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Şimdi İletişime Geçin

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey

Marka Adı:	ZMKJ
Model Numarası:	4 inç GaN-safir
Adedi:	5adet
fiyat:	by case
Paketleme Ayrıntıları:	temizlik odasında tek gofret kabı
Ödeme Şartları:	T / T, Western Union, PayPal

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Tanımı

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

substrat:

safir gofret

katman:

GaN şablonu

tabaka kalınlığı:

1-5um

iletkenlik tipi:

N/P

Oryantasyon:

0001

başvuru:

yüksek güç/yüksek frekanslı elektronik cihazlar

uygulama 2:

5G testere/BAW Cihazları

silikon kalınlığı:

525um/625um/725um

Yetenek temini:

50 adet / ay

Vurgulamak:

5G testere gan şablonları

4" gan şablonları

GaN yarı iletken Substrat

Ürün Tanımı

2 inç 4 inç 4 inç Safir tabanlı GaN şablonları Safir alt tabaka üzerinde GaN filmi

GaN'nin Özellikleri

GaN'nin kimyasal özellikleri

1) Oda sıcaklığında GaN suda, asitte ve alkalide çözünmez.
2) Sıcak bir alkali solüsyonda çok yavaş bir hızda çözülür.
3) NaOH, H2SO4 ve H3PO4, düşük kaliteli GaN'yi hızla aşındırabilir, bu düşük kaliteli GaN kristal kusur tespiti için kullanılabilir.
4) HCL veya hidrojen içindeki GaN, yüksek sıcaklıkta kararsız özellikler gösterir.
5) GaN, nitrojen altında en kararlı olanıdır.

GaN'nin elektriksel özellikleri

1) GaN'nin elektriksel özellikleri, cihazı etkileyen en önemli faktörlerdir.

2) Dopingsiz GaN, tüm durumlarda n idi ve en iyi örneğin elektron konsantrasyonu yaklaşık 4*(10^16)/c㎡ idi.

3) Genellikle hazırlanan P numuneleri yüksek oranda kompanze edilir.

GaN'nin optik özellikleri

1) Yüksek bant genişliğine (2.3~6.2eV) sahip geniş bant aralıklı bileşik yarı iletken malzeme, kırmızı sarı yeşil, mavi, mor ve ultraviyole spektrumunu kapsayabilir, şimdiye kadar diğer yarı iletken malzemelerin elde edemediği kadar.

2) Esas olarak mavi ve mor ışık yayan cihazlarda kullanılır.

GaN Malzemesinin Özellikleri

1) Yüksek frekans özelliği, 300G Hz'ye ulaşır.(Si 10G'dir ve GaAs 80G'dir)

2) Yüksek sıcaklık özelliği, 300 ℃'de Normal çalışma, havacılık, askeri ve diğer yüksek sıcaklık ortamları için çok uygundur.

3) Elektron kayması yüksek doyma hızına, düşük dielektrik sabitine ve iyi termal iletkenliğe sahiptir.

4) Asit ve alkali direnci, korozyon direnci, zorlu ortamlarda kullanılabilir.

5) Yüksek voltaj özellikleri, darbe dayanımı, yüksek güvenilirlik.

6) Büyük güç, iletişim ekipmanına çok heveslidir.

GaN Uygulaması

GaN'nin ana kullanımı:

1) ışık yayan diyotlar, LED

2) alan etkili transistörler, FET

3) lazer diyotları, LD

Şartname

Karakteristik Spesifikasyon

Diğer ilgili 4INCH GaN Şablon Spesifikasyonu

	GaN/ Al₂O₃ Yüzeyler (4") 4 inç
Kalem	katkısız	N tipi	yüksek katkılı N tipi
Boyut (mm)	Φ100,0±0,5 (4")
Yüzey Yapısı	Sapphire'de GaN(0001)
YüzeyBitmiş	(Standart: SSP Seçeneği: DSP)
Kalınlık (μm)	4,5±0,5;20±2; Özelleştirilmiş
İletim Tipi	katkısız	N tipi	Yüksek katkılı N tipi
Direnç (Ω·cm)(300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Kalınlık Tekdüzeliği	≤±%10 (4")
Çıkık Yoğunluğu (cm-2)	≤5×108
Kullanılabilir Yüzey Alanı	＞90%
paket	100.sınıf temiz oda ortamında paketlenmiştir.

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey 1

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey 2

Kristal yapı	Würtzit
Kafes sabiti (Å)	a=3.112, c=4.982
İletim bandı tipi	Doğrudan bant aralığı
Yoğunluk (g/cm3)	3.23
Yüzey mikrosertliği (Knoop testi)	800
Erime noktası (℃)	2750 (N2'de 10-100 bar)
Termal iletkenlik (W/m·K)	320
Bant aralığı enerjisi (eV)	6.28
Elektron hareketliliği (V·s/cm2)	1100
Elektrik arıza alanı (MV/cm)	11.7

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey 4

Etiketler:

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Ürün ayrıntıları

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

4" Safir Tabanlı GaN Şablonları Yarı İletken Yüzey

5G testere gan şablonları

4" gan şablonları

GaN yarı iletken Substrat

GaN'nin kimyasal özellikleri

GaN'nin elektriksel özellikleri

GaN'nin optik özellikleri

GaN Malzemesinin Özellikleri

1) Yüksek frekans özelliği, 300G Hz'ye ulaşır.(Si 10G'dir ve GaAs 80G'dir)

GaN'nin ana kullanımı: