Marka Adı:	ZMKJ
Model Numarası:	2 inç AlN-safir
Adedi:	5adet
fiyat:	by case
Paketleme Ayrıntıları:	temizlik odasında tek gofret kabı
Ödeme Şartları:	T / T, Western Union, PayPal

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

substrat:

safir gofret

katman:

AlN şablonu

tabaka kalınlığı:

1-5um

iletkenlik tipi:

N/P

Oryantasyon:

0001

başvuru:

yüksek güç/yüksek frekanslı elektronik cihazlar

uygulama 2:

5G testere/BAW Cihazları

silikon kalınlığı:

525um/625um/725um

Yetenek temini:

50 adet / ay

Vurgulamak:

2 inç AlN Şablonu

5G BAW Cihazları AlN Şablonu

Ürün Tanımı

2 inç 4 inç 6 inç Safir tabanlı AlN şablonları safir alt tabaka üzerinde AlN filmi

5G BAW Cihazları için safir alt tabaka üzerinde 2 inç AlN Şablon katmanı Gofret

AlN şablonunun uygulamaları

OEM'imiz, bir dizi tescilli teknoloji ve son teknoloji PVT büyüme reaktörleri ve tesisleri geliştirmiştir.

farklı boyutlarda yüksek kaliteli tek kristalli AlN gofretleri, AlN templleri üretin.Dünyanın sayılı birkaç ülkesinden biriyiz

yüksek kaliteli AlN boules ve wafers üretmek için tam AlN fabrikasyon yeteneklerine sahip olan yüksek teknoloji şirketleri ve

Büyüme reaktörü ve sıcak bölge tasarımından düzenlenmiş müşterilerimize profesyonel hizmetler ve anahtar teslimi çözümler,

modelleme ve simülasyon, süreç tasarımı ve optimizasyonu, kristal büyümesi,

gofret ve malzeme karakterizasyonu.Nisan 2019'a kadar 27'den fazla patent başvurusunda bulundular (PCT dahil).

Şartname

Karakteristik Spesifikasyon

Diğer ilgili 4INCH GaN Şablon Spesifikasyonu

	GaN/ Al₂O₃ Yüzeyler (4") 4 inç
Kalem	katkısız	N tipi	yüksek katkılı N tipi
Boyut (mm)	Φ100,0±0,5 (4")
Yüzey Yapısı	Sapphire'de GaN(0001)
YüzeyBitmiş	(Standart: SSP Seçeneği: DSP)
Kalınlık (μm)	4,5±0,5;20±2; Özelleştirilmiş
İletim Tipi	katkısız	N tipi	Yüksek katkılı N tipi
Direnç (Ω·cm)(300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Kalınlık Tekdüzeliği	≤±%10 (4")
Çıkık Yoğunluğu (cm-2)	≤5×108
Kullanılabilir Yüzey Alanı	＞90%
paket	100.sınıf temiz oda ortamında paketlenmiştir.

5G BAW Cihazları için 2 İnç Safir Yüzey AlN Şablon Katmanlı Gofret 1

Kristal yapı	Würtzit
Kafes sabiti (Å)	a=3.112, c=4.982
İletim bandı tipi	Doğrudan bant aralığı
Yoğunluk (g/cm3)	3.23
Yüzey mikrosertliği (Knoop testi)	800
Erime noktası (℃)	2750 (N2'de 10-100 bar)
Termal iletkenlik (W/m·K)	320
Bant aralığı enerjisi (eV)	6.28
Elektron hareketliliği (V·s/cm2)	1100
Elektrik arıza alanı (MV/cm)	11.7

5G BAW Cihazları için 2 İnç Safir Yüzey AlN Şablon Katmanlı Gofret 3

Etiketler: