Marka Adı: | zmkj |
Model Numarası: | InP |
Adedi: | 3 PARÇA |
fiyat: | by case |
Paketleme Ayrıntıları: | 1000 derecelik temizlik odasında tek gofret paketi |
Ödeme Şartları: | T/T, Western Union |
2 inç InP levhalar 3 inç 4 inç N/P TİPİ InP Yarı İletken Substrat Waferlar Katkılı S+/ Zn+ /Fe + İndiyum Fosfit Bazlı Epitaksiyel Wafer Tek Kristal İndiyum Fosfit Waferlar InP levha 2 inç/3 inç/4 inç 350-650 um InP Kristal Wafer Sahte Prime Yarı İletken yüzey
boyut (mm)
|
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm,10×5×0.5mm özelleştirilebilir
|
Ra
|
Yüzey pürüzlülüğü(Ra):<=5A
|
Lehçe
|
Tek veya çift taraflı cilalı
|
paket
|
100 tek veya çift tarafı cilalı
|
Yüksek elektronik sınır sürüklenme hızı, iyi radyasyon direnci ve iyi ısı iletimi avantajlarına sahiptir.İçin uygun
yüksek frekanslı, yüksek hızlı, yüksek güçlü mikrodalga cihazları ve entegre devreler üretmek.
Wafer Çapı(mm)
|
50,8±0,3
|
76,2±0,3
|
100±0,3
|
kalınlık(um)
|
350±25
|
625±25
|
625±25
|
TTV-P/P(um)
|
≤10
|
≤10
|
≤10
|
TTv-P/E(um)
|
≤10
|
≤15
|
≤15
|
ÇÖZGÜ(um)
|
≤15
|
≤15
|
≤15
|
OF(mm)
|
17±1
|
22±1
|
32,5±1
|
OF/IF(mm)
|
7±1
|
12±1
|
18±11
|
Tanım | Başvuru | Dalga boyu aralığı |
InP Tabanlı Epi-gofret | FP lazer | ~1310nm;~1550nm;~1900nm |
DFB lazer | 1270nm~1630nm | |
Çığ foto dedektörü | 1250nm~1600nm | |
Fotoğraf dedektörü | 1250nm~1600nm/>2.0um (InGaAs emici katman);<1.4μm (InGaAsP emici katman) |
Ürün adı |
Yüksek Saflıkta İndiyum Fosfit Polikristal Alt Tabaka |
Demir Katkılı İndiyum Fosfit Kristali |
N-tipi ve P-tipi İndiyum Fosfit Kristali |
4 İnç İndiyum Fosfit Tek Kristal Külçe |
İndiyum Fosfit Bazlı Epitaksiyel Gofret |
İndiyum Fosfit Yarı İletken Kristal Substrat |
İndiyum Fosfit Tek Kristal Substrat |
İndiyum Antimonit Tek Kristal Substrat |
İndiyum Arsenik Tek Kristal Substrat |
---SSS -
A: mallar stokta ise genellikle 5-10 gündür.veya mallar değilse 15-20 gündür
stokta, miktarına göre.