Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Yarı iletken yüzey

Epitaksiyel Büyüme için VGF 2 İnç 4 İnç N / P Tipi GaAs Gofret Yarı İletken Yüzey

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Bize Ulaşın

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Şimdi İletişime Geçin

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Epitaksiyel Büyüme için VGF 2 İnç 4 İnç N / P Tipi GaAs Gofret Yarı İletken Yüzey

Marka Adı:	ZMSH
Model Numarası:	GaAs substratı
Adedi:	3 PARÇA
fiyat:	BY case
Paketleme Ayrıntıları:	temizlik odası altında tek gofret kabı
Ödeme Şartları:	T/T, Western Union

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Tanımı

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Sertifika:

ROHS

Malzeme:

GaAs substrat gofreti

Boyut:

2 inç 3 inç 4 inç 6 inç

büyüme yöntemi:

VGF

EPD:

<500

katkı maddesi:

Si katkılı Zn katkılı katkısız

TTV DDP:

5um

TTV SSP:

10um

Oryantasyon:

100+/-0.1 derece

Vurgulamak:

Epitaksiyel Büyüme Yarı İletken Substrat

P Tipi GaAs Wafer

GaAs Wafer Yarı İletken Substrat

Ürün Tanımı

Epitaksiyel Büyüme için VGF 2 İnç 4 İnç N Tipi P Tipi GaAs Gofret Yarı İletken Yüzey

Epitaksiyel büyüme için VGF 2 inç 4 inç 6 inç n tipi birinci sınıf GaAs gofret

Galyum arsenit, entegre devre alt tabakaları, kızılötesi dedektörler, gama foton dedektörleri vb. yapmak için kullanılan silikon ve germanyumdan 3 kat daha yüksek özdirence sahip yarı yalıtımlı yüksek dirençli malzemeler haline getirilebilir. Çünkü elektron hareketliliği Silikondan 5 ila 6 kat daha büyük, mikrodalga cihazlarının ve yüksek hızlı dijital devrelerin imalatında önemli uygulamalara sahiptir.Galyum arsenitten yapılan galyum arsenit, entegre devre alt tabakaları ve kızılötesi dedektörler yapmak için kullanılan silikon ve germanyumdan 3 kat daha yüksek özdirence sahip yarı yalıtımlı yüksek dirençli malzemeler haline getirilebilir.

1. Galyum arsenidin optoelektronikte uygulanması

2. Mikroelektronikte galyum arsenit uygulaması

3. İletişimde galyum arsenit uygulaması

4. Mikrodalgada galyum arsenit uygulaması

5. Güneş hücrelerinde galyum arsenit uygulaması

GaAs Gofret Spesifikasyonu

Tip/Dopant	Yarı Yalıtımlı	P Tipi/Zn	N Tipi/Si	N Tipi/Si
Başvuru	Mikro Elektronik	NEDEN OLMUŞ		Lazer Diyot
Büyüme Yöntemi	VGF
Çap	2", 3", 4", 6"
Oryantasyon	(100)±0,5°
Kalınlık (µm)	350-625um±25um
OF/IF	ABD EJ veya Çentik
Taşıyıcı Konsantrasyon	-	(0,5-5)*1019	(0,4-4)*1018	(0,4-0,25)*1018
Özdirenç (ohm-cm)	>107	(1.2-9.9)*10-3	(1.2-9.9)*10-3	(1.2-9.9)*10-3
Hareketlilik (cm2/VS)	>4000	50-120	>1000	>1500
Pitch Yoğunluğu (/cm2)	<5000	<5000	<5000	<500
TTV [P/P] (µm)	<5
TTV [P/E] (µm)	<10
Çözgü (µm)	<10
Yüzey Bitmiş	P/P, P/E, E/E

Not: Diğer Özellikler istek üzerine sağlanabilir

Galyum arsenit, bileşik yarı iletkenlerde en önemli ve yaygın olarak kullanılan yarı iletken malzemedir ve aynı zamanda şu anda üretimdeki en olgun ve en büyük bileşik yarı iletken malzemedir.

Kullanılan galyum arsenit cihazları şunlardır:

Mikrodalga diyot, Gunn diyot, varaktör diyot vb.
Mikrodalga transistörler: alan etkili transistör (FET), yüksek elektron mobilite transistörü (HEMT), heterojonksiyonlu bipolar transistör (HBT), vb.
Entegre devre: mikrodalga monolitik entegre devre (MMIC), ultra yüksek hızlı entegre devre (VHSIC), vb.
Salon bileşenleri vb.
Kızılötesi ışık yayan diyot (IR LED);Görünür ışık yayan diyot (alt tabaka olarak kullanılan LED);
Lazer diyodu (LD);
Işık dedektörü;
Yüksek verimli güneş pili;

Epitaksiyel Büyüme için VGF 2 İnç 4 İnç N / P Tipi GaAs Gofret Yarı İletken Yüzey 0

Etiketler:

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Ürün ayrıntıları

Epitaksiyel Büyüme için VGF 2 İnç 4 İnç N / P Tipi GaAs Gofret Yarı İletken Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Epitaksiyel Büyüme için VGF 2 İnç 4 İnç N / P Tipi GaAs Gofret Yarı İletken Yüzey

Epitaksiyel Büyüme Yarı İletken Substrat

P Tipi GaAs Wafer

GaAs Wafer Yarı İletken Substrat

Epitaksiyel büyüme için VGF 2 inç 4 inç 6 inç n tipi birinci sınıf GaAs gofret

GaAs Gofret Spesifikasyonu

Kullanılan galyum arsenit cihazları şunlardır: