 |
InP wafer 2 inç 3 inç 4 inç VGF P tipi N tipi Depant Zn S Fe Doped Prim Grade Test Grade
Ürün ayrıntıları:
| Place of Origin: | China |
| Marka adı: | ZMSH |
| Model Number: | InP wafer |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Teslim süresi: | 2-4hafta |
|---|---|
| Ödeme koşulları: | T/T |
|
Detay Bilgi |
|||
| yay: | <10 um, <15 um | TTV: | <10 um, <15 um |
|---|---|---|---|
| Poliş edilmiş: | ssp veya dsp | Oryantasyon: | <100>, <111> |
| Yönlendirme Hassasiyeti: | ±0,5° | Birincil Düz Uzunluk: | 16±2 mm, 22±2 mm, 32,5±2 mm |
| Scondary Düz Uzunluk: | 8±1mm, 11±1mm, 18±1mm | çözgü: | <15 hımm |
| Boyut: | 2 inç 3 inç 4 inç (özelleştirilmiş boyutlar mevcuttur) | Kalınlığı: | 0,35 mm, 0,6 mm |
| Vurgulamak: | 2 inçlik InP wafer.,3 inçlik InP wafer.,4 inçlik InP wafer. |
||
Ürün Açıklaması
InP wafer 2 inç 3 inç 4 inç VGF P tipi N tipi Depant Zn S Fe Doped Prim Grade Test Grade
InP Wafer'ın açıklaması:
İndyum fosfit levhaları ((InP levhaları) ikili bir yarı iletken olan indiyum fosfitten hazırlanır.InP waferSilikon gibi diğer popüler yarı iletkenlerden daha üstün bir elektron hızı sunar.Hızlı transistörler, ve rezonans tünelleme diyotları.InP levhalarıYüksek frekanslı ve güçlü elektronik cihazlarda bulunur.InP waferAyrıca yüksek hızlı fiber optik iletişimde de yaygın olarak kullanılır, çünkü indiyum fosfidi 1000nm'in üzerindeki dalga boylarını yayar ve algılar.InP waferAyrıca Datacom ve Telekom uygulamalarında lazer ve fotodiyotlar için bir substrat olarak da kullanılır.InP waferSonuç olarak,InP levhalarıOptikal fiber bağlantılarında, metro halka erişim ağlarında, şirket ağlarında, veri merkezlerinde, vb. en çok istenen waferler olacak.InP waferBu en verimli ve etkili olacaktır.
InP Wafer'ın karakteri:
1Bant boşluğu: InP, oda sıcaklığında yaklaşık 1.35 eV'lik dar bir bant boşluğuna sahiptir ve bu da onu fotodetektorlar, lazerler ve güneş hücreleri gibi optoelektronik uygulamalara uygun kılar.
2Yüksek Elektron Hareketliliği: InP, diğer yarı iletken malzemelerle karşılaştırıldığında yüksek elektron hareketliliğine sahiptir.Yüksek frekanslı transistörler ve entegre devreler gibi yüksek hızlı elektronik cihazlar için yararlıdır..
3Yüksek ısı iletkenliği: InP, yüksek güçlü elektronik cihazlarda verimli ısı dağılmasını sağlayan nispeten yüksek ısı iletkenliğe sahiptir.
4Optik Özellikler: InP levhaları, kızılötesi bölgede yüksek şeffaflık da dahil olmak üzere mükemmel optik özelliklere sahiptir ve bu da onları optik iletişim ve algılama uygulamaları için ideal hale getirir.
5Düşük gürültü özellikleri: InP, düşük gürültü özelliklerine sahiptir ve bu nedenle iletişim sistemlerindeki düşük gürültülü amplifikatörler ve alıcılar için uygundur.
6Kimyasal istikrar: InP, çeşitli ortamlarda güvenilirliğine katkıda bulunan kimyasal olarak istikrarlıdır.
7InGaAs'e eşleşen ızgara: InP, Optoelektronik cihazlar için yüksek kaliteli heterostructures'in büyümesini sağlayan Indium Gallium Arsenide (InGaAs) ile ızgara eşleşmesi yapılır.
8Yüksek Bozulma Voltajı: InP levhalarının yüksek bir bozulma voltajı vardır, bu da onları yüksek güç ve yüksek frekanslı uygulamalar için uygundur.
9Yüksek Elektron Doymuşluk Hızı: InP, yüksek hızlı elektronik cihazlar için yararlı olan yüksek bir elektron doygunluk hızı gösterir.
10Doping: InP levhaları hem n tipi hem de p tipi bölgeleri oluşturmak için doping edilebilir, bu da çeşitli elektronik ve optoelektronik cihazların üretilmesine izin verir.
InP Wafer'ın şekli:
| Malzeme | InP |
|---|---|
| Büyüme Yöntemi | LEC,VCZ/P-LEC, VGF, VB |
| Döşeme (A) | a=5.869 |
| Yapı | M3 |
| Erime Noktası | 1600°C |
| yoğunluk ((g/cm3) | 4.79 g/cm3 |
| Dopinglenmiş malzeme |
S-doped olmayan Zn-doped Fe-doped
|
| Türü |
N N P N
|
| Taşıyıcı konsantrasyonu (cm-3) |
(0.4-2) x 1016 (0.8-3) x 1018 (4-6) x 1018
(0.6-2) x 1018
|
| Hareketlilik (cm2v-1s-1) |
(3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103
|
| EPD (ortalama) |
3 x 104. cm2 2 x 103/cm2. 2 x 104/cm2. 3 x 104/cm2
|
InP Wafer'ın fiziksel fotoğrafı:
InP Wafer uygulaması:
1- Fotonik:
Lazerler ve Detektörler: Dar bant aralığı (~ 1.35 elektron volt) ile InP, fotonik uygulamalarda lazerler ve detektörler gibi cihazlar için uygundur.
Optik İletişim: InP levhaları, fiber optik için lazerler ve modülatörler gibi bileşenlerde kullanılan optik iletişim sistemlerinde çok önemli bir rol oynar.
2Yarım iletken cihazlar:
Yüksek Hızlı Transistörler: InP'nin yüksek elektron hareketliliği, yüksek hızlı transistörlerin üretimi için ideal bir malzeme haline getirir.
Güneş hücreleri: InP levhaları güneş hücrelerinde iyi performans gösterir ve verimli fotovoltaik dönüşümü sağlar.
3Mikrodalga ve RF cihazları:
Mikrodalga Entegre Devre (MIC): InP levhaları yüksek frekanslı tepki ve performans sağlayan mikrodalga ve RF entegre devrelerin üretiminde kullanılır.
Düşük Gürültülü Amplifikatörler: InP levhaları iletişim sistemlerindeki düşük gürültülü amplifikatörlerde önemli uygulamalar bulur.
4Fotovoltaik cihazlar:
Fotovoltaik hücreler: InP levhaları güneş enerjisi sistemleri için yüksek verimli fotovoltaik hücrelerin üretiminde kullanılır.
5Sensör teknolojisi:
Optik Sensörler: InP levhaları, çeşitli sensör teknolojilerinde ve görüntüleme sistemlerinde kullanılan optik sensör uygulamalarında potansiyel taşır.
6Entegre devreler:
Optoelektronik Entegre devreler: InP levhaları, optik iletişim ve algılama uygulamaları için optoelektronik entegre devrelerin üretiminde kullanılır.
7Optik cihazlar:
Fiber Optic Amplifiers: InP levhaları, fiber optik iletişimde sinyal amplifikasyonu ve iletimi için fiber optik amplifikatörlerde kritik bir rol oynar.
InP Wafer'ın uygulama resimleri:
Özellik:
İşte InP wafer özelleştirmesinin bazı yönleri:
1Wafer Boyutu: InP waferleri, uygulamanın özel ihtiyaçlarına uygun olarak çap (2 inç, 3 inç, 4 inç) ve kalınlık açısından özelleştirilebilir.
2• Yönlendirme: Wafer'in yönlendirmesi ((100), (111) A, (111) B) amaçlanan uygulama için istenen kristal yönlendirmesine göre belirlenebilir.
3Doping Profili: Dopantların konsantrasyonunu ve dağılımını (silikon,Sülfür) cihazın üretimi için gerekli özel elektrik özelliklerini elde etmek için.
4. Yüzey kalitesi: Waferin yüzey kalitesi, gerekli kabalık özelliklerini karşılamak için özelleştirilebilir ve optoelektronik ve fotonik gibi uygulamalarda optimum performans sağlar.
5Epitaxial katmanlar: InP levhaları, lazer gibi özel cihazlar için heterostructures oluşturmak için InGaAs, InAlGaAs veya InGaAsP gibi diğer malzemelerin epitaxial katmanlarıyla özelleştirilebilir.fotodetektorlar, ve yüksek hızlı transistörler.
6Özel Kaplamalar: InP levhaları, optik cihazlar için yansıtma karşıtı kaplamalar gibi belirli uygulamalarda performanslarını artırmak için özel malzemeler veya filmlerle kaplanabilir.
Sıkça sorulan sorular:
1. S: InP yarı iletken nedir?
A: Indiyum fosfidi (InP), indiyum (In) ve fosfor (P) 'den oluşan ikili bir yarı iletkeni ifade eder.InP, III-V yarı iletkenlere ait bir malzeme grubuna giriyor..
2S: İndyum fosfitin kullanımı nedir?
A:Indium fosfit substratları, esas olarak uzun dalga boyu (1.3 ve 1.1) üretiminde kullanılan üçlü (InGaAs) ve dördü (InGaAsP) alaşım içeren yapıların büyümesi için kullanılır.55 μm) diyot lazerleri, LED'ler ve fotodetektorlar.
3S: InP'nin avantajları nelerdir?
A: Yüksek Elektron Hareketliliği: InP, silikondan neredeyse on kat daha fazla elektron hareketliliği gösterir, bu da telekomünikasyon ve radar sistemlerindeki yüksek hızlı transistörler ve amplifikatörler için mükemmel hale getirir.