 |
SOI wafer P Tip N Tip 6 inç 8 inç 12 inç Yüzey cilalama SSP/DSP
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | ZMSH |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 25 |
|---|---|
| Fiyat: | undetermined |
| Ambalaj bilgileri: | köpüklü plastik + karton |
| Teslim süresi: | 2-4hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T |
| Yetenek temini: | 1000 ADET / Hafta |
|
Detay Bilgi |
|||
| Üst silikon tabaka kalınlığı: | 0.1 - 20 um | Gömülü oksit tabakası kalınlığı: | 0.1 - 3 um |
|---|---|---|---|
| Yüzey Tipi: | Silikon (SI), yüksek dirençli silikon (HR-SI) veya başka bir | Cihaz katmanı direnci: | 1 - 10.000Ω · cm |
| Oksit tabakası direnci: | 1 × 10⁶ ila 10⁸Ω · cm | Isı İleticiliği: | 1.5 - 3.0W/m · K |
| Vurgulamak: | 8 inç SOI Wafer,12 inç SOI wafer,6 inç SOI Wafer |
||
Ürün Açıklaması
SOI wafer P Tip N Tip 6 inç 8 inç 12 inç Yüzey cilalama SSP/DSP
Abstract of SOI wafer
Silicon on Insulator (SOI), ince bir yalıtım tabakasının, tipik olarak silikon dioksit (SiO2) kullanıldığı gelişmiş bir yarı iletken teknolojisidir.Silikon alt tabakası ile aktif silikon tabakası arasında yerleştirilmiştir.Bu yapı, parasitik kapasitansı önemli ölçüde azaltır, anahtarlama hızını iyileştirir, güç tüketimini düşürür ve geleneksel toplu silikon teknolojisine kıyasla radyasyona direnci artırır.
SOI, silikon-on-insulator, veya Silicon On a substrate anlamına gelir ve üst silikon katmanı ile alt katman arasında gömülü oksit katmanı getirir.
SOI Specification
| Isı İleticiliği | Nispeten yüksek termal iletkenlik |
| Etkin Katman Kalınlığı | Tipik olarak birkaç ila birkaç on nanometre (nm) arasında değişir. |
| Wafer Diameter | 6 inç, 8 inç, 12 inç. |
| Süreç Avantajları | Daha yüksek cihaz performansı ve daha düşük güç tüketimi |
| Performans Avantajları | Excellent electrical properties, reduced Mükemmel elektrik özellikleri, azaltılmış Aygıt boyutu, elektronik bileşenler arasındaki geçişleri en aza indir |
| Direnç | Tipically ranges from several hundred to thousands of ohm-cm (Genellikle birkaç yüzden binlere kadar ohm-cm) |
| Güç Kullanımı Karakteristikleri | Düşük güç tüketimi |
| Temizlik Konsantrasyonu | Düşük kirlilik konsantrasyonu |
| Silikon Destek İsoleatör Wafer | SOI Silikon Wafer 4-inç, CMOS Üç Katmanlı Yapı |
SOI yapısı
SOI wafers typically consist of three main layers: SOI wafers typically consist of three main layers: SOI wafers typically consist of three main layers: SOI wafers typically consist of three main layers: SOI wafers typically consist of three main layers:
1En üst silikon katmanı.The thin silicon layer where semiconductor devices are fabricated. The thickness varies from a few nanometers to tens of micrometers depending on the application. The thin silicon layer where semiconductor devices are fabricated. The thickness varies from a few nanometers to tens of micrometers depending on the application.
2Burried Oxide (BOX) katmanı.Silikon dioksit (SiO2) ince bir tabakasıdır ve elektrikli yalıtım sağlar.
3El Wafer (Substrate): Genellikle toplu silikon veya diğer yüksek performanslı malzemelerden yapılan mekanik destek katmanı.
The thickness of both the top silicon and buried oxide layers can be customized to optimize performance for specific applications. The thickness of both the top silicon and buried oxide layers can be customized to optimize performance for specific applications. The thickness of both the top silicon and buried oxide layers can be customized to optimize performance for specific applications. The thickness of both the top silicon and buried oxide layers can be customized to optimize performance for specific applications.
SOI Üretim Süreçleri
SOI wafers are produced using three primary methods: SOI wafers are produced using three primary methods: SOI wafers are produced using three primary methods:
1.SIMOX (IMplanted Oxygen ile Ayrılma)
Oksijen iyonlarını bir silikon vaferine yerleştirmeyi ve gömülü oksit tabakası oluşturmak için yüksek sıcaklıklarda oksidleştirmeyi içerir.
Yüksek kaliteli SOI vafeleri üretir ancak nispeten pahalıdır.
2.Smart CutTM (Soitec, Fransa tarafından geliştirildi)
SOI yapılarını oluşturmak için hidrojen iyon implantasyonu ve wafer bağlamasını kullanır.
Ticari SOI üretiminde en yaygın kullanılan yöntem.
3Wafer Bonding & Etch-Back
Bu, iki silikon vafer bağlamayı ve birini istenen kalınlığa seçerek kazmayı içerir.
Kalın SOI ve özel uygulamalar için kullanılır.
SOI Uygulamaları
SOI teknolojisi, benzersiz performans avantajları nedeniyle çeşitli endüstrilerde yaygın olarak kullanılmaktadır:
1Yüksek Performanslı Bilgisayar (HPC).
IBM ve AMD gibi şirketler, işlem hızlarını artırmak ve güç tüketimini azaltmak için SOI'yi üst düzey sunucu CPU'larında kullanıyor.
SOI, süper bilgisayarlarda ve AI işlemcilerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
2Mobil ve Düşük Güçlü Cihazlar
FD-SOI teknolojisi, performans ve güç verimliliğini dengelemek için akıllı telefonlarda, giyilebilir cihazlarda ve IoT cihazlarında kullanılır.
STMicroelectronics ve GlobalFoundries gibi çip üreticileri düşük güç uygulamaları için FD-SOI çipleri üretmektedir.
3.RF ve Kablosuz İletişim (RF SOI)
RF SOI, 5G, Wi-Fi 6E ve milimetre dalga iletişimlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
RF anahtarlarında, düşük gürültü amplifikatörlerinde (LNA) ve RF front-end modüllerinde (RF FEM) kullanılır.
4Otomotiv Elektronik.
Power SOI, elektrikli araçlarda (EV'ler) ve gelişmiş sürücü yardım sistemlerinde (ADAS) yaygın olarak kullanılmaktadır.
Yüksek sıcaklık ve yüksek voltajlı operasyonu sağlar ve zor koşullarda güvenilirliği sağlar.
5Silikon Fotonik ve Optik Uygulamalar.
SOI substratları, yüksek hızlı optik iletişim için silikon fotonik yongalarında kullanılır.
Uygulamalar arasında veri merkezleri, yüksek hızlı optik bağlantılar ve LiDAR (Light Detection and Ranging) yer almaktadır.
SOI waferinin avantajları
1.Düşük parazitik kapasitans ve artan işletim hızıSOI cihazları, toplu silikon malzemelerine kıyasla, 20-35%'lik bir hız iyileştirmesi elde eder.
2Düşük güç tüketimi.Düşük parazitik kapasitans ve en aza indirgenmiş sızıntı akımı nedeniyle, SOI cihazları güç tüketimini %35-70 oranında azaltabilir.
3.Elimination of latch-up effects.Konuşturma etkilerinin ortadan kaldırılmasıSOI teknolojisi latch-up'u engeller ve cihaz güvenilirliğini artırır.
4Substrate gürültüsünün bastırılması ve yumuşak hataların azaltılması.SOI, altyapıdan gelen darbe akımı müdahalesini etkili bir şekilde azaltır ve yumuşak hataların oluşmasını azaltır.
5Mevcut silikon süreçleriyle uyumlulukSilicon SOI teknolojisi, geleneksel silikon fabrikasyonu ile iyi bir şekilde bütünleşir ve işleme adımlarını %13 ila %20 oranında azaltır.
Tag: #SOI wafer # P Type # N Type # 6 inç # 8 inç # 12 inç # Surface polish SSP/DSP