Yüksek Saflıkta Silisyum Karbür Gofret Başbakan / Kukla / 5G Cihazı İçin Ultra Sınıf 4H-Semi SiC Gofret

SUBSTRAT EMLAK

Üretim notu

Araştırma Notu

Kukla Sınıf

Çap

100.0 mm + 0.0 / -0.5 mm

Yüzey Yönü

{0001} ± 0.2 °

Birincil Düz Yönlendirme

<11- 20> ± 5.0 ̊

İkincil Düz Yönlendirme

90.0 ̊ CW, Birincil ± 5.0 ̊, silikon yüz yukarı

Birincil Düz Uzunluk

32,5 mm ± 2,0 mm

İkincil Düz Uzunluk

18.0 mm ± 2,0 mm

Gofret Kenarı

oluk

Mikropipe Yoğunluğu

≤5 mikro boru / cm 2

≤ 10 mikro boru / cm 2

≤50 mikro boru / cm 2

Yüksek yoğunluklu ışıkla polietilen alanlar

İzin yok

%% 10 alan

özdirenç

≥ 1E5 Ω · cm

( alan% 75 ) ≥1E 5 Ω · cm

Kalınlık

350.0 ±m ± 25.0 orm veya 50 0.0 μm ± 25.0 μm

TTV

Μ 10μm

≦ 15 μm

Yay ( mutlak değer )

≦ 25 μm

≦ 30 μm

eğrilik

Μ 45 μm

Yüzey

Çift Taraflı Cilası, Si Face CMP ( kimyasal parlatma )

Yüzey pürüzlülüğü

CMP Si Yüz Ra≤0.5 nm

N / A

Yoğun ışıkta çatlaklar

İzin yok

Yaygın aydınlatma ile kenar talaşları / girintiler

İzin yok

Miktar 2 < 1,0 mm genişlik ve derinlik

Miktar 2 < 1,0 mm genişlik ve derinlik

Toplam kullanım alanı

≥90%

≥80%

N / A

özellik

U (Ultra) Sınıf

P ( Üretim ) Sınıfı

R ( Araştırma ) Sınıfı

D ( Kukla ) Sınıf

Çap

150.0 mm ± 0,25 mm

Yüzey Yönü

{0001} ± 0.2 °

Birincil Düz Yönlendirme

<11-20> ± 5.0 ̊

İkincil düz Yönlendirme

N / A

Birincil Düz Uzunluk

47,5 mm ± 1,5 mm

İkincil düz Uzunluk

Yok

Gofret Kenarı

oluk

Mikropipe Yoğunluğu

≤1 / cm 2

≤5 / cm 2

≤10 / cm 2

≤50 / cm 2

Yüksek Yoğunlukta Işık ile Polytype alanı

Yok

≤% 10

özdirenç

≥1E7 Ω · cm

( alan% 75 ) ≥1E7 Ω · cm

Kalınlık

350.0 ±m ± 25.0 orm veya 500.0 μm ± 25.0 μm

TTV

≦ 10 μm

Yay (Mutlak Değer)

≦ 40 μm

eğrilik

Μ 60 μm

Yüzey

C-face: Optik cilalı, Si-face: CMP

Pürüzlülük (10 μ m × 10 μ m)

CMP Si-yüzü Ra < 0.5 nm

N / A

Yüksek Yoğunlukta Işık Çatlak

Yok

Diffüz Aydınlatma ile Kenar Yongaları / Girintiler

Yok

Adet≤2, her birinin uzunluğu ve genişliği < 1mm

Etki alanı

≥90%

≥80%

N / A