logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Ev Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Silisyum Karbür Gofret
Created with Pixso.

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Marka Adı: ZMSH
Model Numarası: 4 inçlik SiC Wafer.
Adedi: 10 adet
Paketleme Ayrıntıları: ortak paket
Ödeme Şartları: T/T
Ayrıntılı Bilgiler
Menşe yeri:
Çin
Sertifika:
RoHS
Tip:
4h-n
Seviye:
Kukla / araştırma / Üretim sınıfı
Kalınlık:
350 μm±25 μm
Çarpıtmak:
≤40 mikron
Pürüzlülük:
Ra≤1 nm
Çap:
4 inç, 99,5 mm~ 100,0 mm
Ürün Tanımı
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust