 |
4 inç prime Grade 4H-N 1.5mm SIC Silisyum Karbür Gofret
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | ZMKJ |
| Model numarası: | Özel Boyut |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 10 parça |
|---|---|
| Fiyat: | by case |
| Ambalaj bilgileri: | 100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi |
| Teslim süresi: | 1-6weeks |
| Ödeme koşulları: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Yetenek temini: | 1-50pcs / ay |
|
Detay Bilgi |
|||
| Malzeme: | SiC tek kristal 4h-N | Seviye: | üretim derecesi |
|---|---|---|---|
| kalın: | 1.5mm | yüzey: | kesim olarak |
| Başvuru: | tohum kristali | Çap: | 4 inç |
| Renk: | Yeşil | MPD: | <2cm-2 |
| Vurgulamak: | SIC Silisyum Karbür Gofret,1.5 mm Silisyum Karbür Gofret,4H-N Silisyum Karbür Gofret |
||
Ürün Açıklaması
Özelleştirilmiş boyut/2 inç/3 inç/4 inç/6 inç 6H-N/4H-YARI/ 4H-N SIC külçeler/Yüksek saflıkta 4H-N 4 inç 6 inç çap 150 mm silisyum karbür tek kristal (sic) substratlar gofretlerS/ Özel kesimli sic gofretlerTohum kristali için üretim 4 inç kalite 4H-N 1.5mm SIC Gofretler
Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında
Karborundum olarak da bilinen silisyum karbür (SiC), kimyasal formülü SiC olan silikon ve karbon içeren bir yarı iletkendir.SiC, yüksek sıcaklıklarda veya yüksek voltajlarda veya her ikisinde de çalışan yarı iletken elektronik cihazlarda kullanılır. SiC ayrıca önemli LED bileşenlerinden biridir, büyüyen GaN cihazları için popüler bir substrattır ve aynı zamanda yüksek sıcaklıklarda bir ısı yayıcı olarak hizmet eder. güç LED'leri.
| Mülk | 4H-SiC, Tek Kristal | 6H-SiC, Tek Kristal |
| Kafes Parametreleri | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| İstifleme Sırası | ABCB | ABCACB |
| Mohs Sertliği | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Yoğunluk | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| term.Genişleme Katsayısı | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Kırılma İndeksi @750nm |
hayır = 2.61 |
hayır = 2.60 |
| Dielektrik sabiti | c~9.66 | c~9.66 |
| Termal İletkenlik (N-tipi, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K |
|
| Termal İletkenlik (Yarı yalıtımlı) |
a~4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
| bant aralığı | 3.23 eV | 3,02 eV |
| Arıza Elektrik Alanı | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Doygunluk Sürüklenme Hızı | 2.0×105m/sn | 2.0×105m/sn |
4H-N 4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Özellikleri
| 2 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Özelliği | ||||||||||
| Seviye | Sıfır MPD Derecesi | Üretim Derecesi | Araştırma Notu | kukla sınıf | ||||||
| Çap | 100. mm±0.38mm | |||||||||
| Kalınlık | 350 μm±25μm veya 500±25um Veya diğer özelleştirilmiş kalınlık | |||||||||
| Gofret Yönü | Off eksen : 4,0° doğru <1120> 4H-N/4H-SI için ±0,5° Açık eksen : 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI için <0001>±0,5° | |||||||||
| Mikro boru yoğunluğu | ≤0 cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤5cm-2 | ≤30 cm-2 | ||||||
| özdirenç | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0,02~0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Birincil Daire | {10-10}±5.0° | |||||||||
| Birincil Düz Uzunluk | 18,5 mm±2,0 mm | |||||||||
| İkincil Düz Uzunluk | 10,0 mm±2,0 mm | |||||||||
| İkincil Düz Yönlendirme | Silikon yüzü yukarı: 90° CW.Prime dairesinden ±5.0° | |||||||||
| Kenar hariç tutma | 1 mm | |||||||||
| TTV/Yay/Çözgü | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| pürüzlülük | Polonya Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çatlaklar | Hiçbiri | 1 izin verilir, ≤2 mm | Kümülatif uzunluk ≤ 10 mm, tek uzunluk ≤2 mm | |||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıkla Hex Plakalar | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤%3 | |||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıkla Polytype Alanları | Hiçbiri | Kümülatif alan ≤2% | Kümülatif alan ≤5% | |||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çizikler | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 3 çizik | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik | |||||||
| kenar çipi | Hiçbiri | 3 izin verilir, her biri ≤0.5 mm | 5 izin verilir, her biri ≤1 mm | |||||||
Üretim ekran gösterisi
|
4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret/külçeler
2 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe
3 inç 4H N-Tipi SiC gofret 4 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe 6 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe |
4H Yarı Yalıtım / Yüksek SaflıktaSiC gofret 2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret |
|
6H N-Tipi SiC gofret
2 inç 6H N-Tipi SiC gofret/külçe |
2-6 inç için özelleştirilmiş boyut
|
SiC Uygulamaları
Uygulama alanları
- 1 adet yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektronik cihaz Schottky diyotlar, JFET, BJT, PiN,
- diyotlar, IGBT, MOSFET
- 2 optoelektronik cihaz: esas olarak GaN/SiC mavi LED alt tabaka malzemesi (GaN/SiC) LED'inde kullanılır
>Ambalaj – Lojistik
Paket, temizlik, anti-statik, şok tedavisinin her ayrıntısıyla ilgileniyoruz.
Ürünün miktarına ve şekline göre farklı bir paketleme işlemi uygulayacağız!100 derece temizleme odasında neredeyse tekli gofret kasetleri veya 25 adet kaset.