10 x 10 x 0,5 mm Silisyum Karbür Gofret 4H - N SiC Kristal Yongalar

10 x 10 x 0,5 mm Silisyum Karbür Gofret 4H - N SiC Kristal Yongalar

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri: Çin
Marka adı: ZMKJ
Model numarası: 10x10x0.5mmt

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı: 5 adet
Fiyat: by case
Ambalaj bilgileri: 100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi
Teslim süresi: 2-3 hafta
Ödeme koşulları: T/T, Western Union, MoneyGram
Yetenek temini: 1-50 adet/ay
En iyi fiyat İletişim

Detay Bilgi

Malzeme: SiC tek kristal 4H-N tipi Seviye: Kukla / Üretim / Araştırma notu
kalın: 0,5 mm yüzey: cilalı
Başvuru: rulman testi Çap: 10x10x0.5mmt
Renk: yeşil çay
Vurgulamak:

Silisyum Karbür Gofret 10x10x0.5mm

,

SiC Cips Silisyum Karbür Gofret

,

SiC Gofret Pencere Parçası

Ürün Açıklaması

 
Özel boyut/10x10x0.5mmt/2 inç/3 inç/4 inç/6 inç 6H-N/4H-YARI/ 4H-N SIC külçeler/Yüksek saflıkta 4H-N 4 inç 6 inç çap 150 mm silisyum karbür tek kristal (sic) substratlar gofretlerS/ Kesilmiş olarak özelleştirilmiş sic gofretler SiC pencereler/lens/gözlükler

Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında

Karborundum olarak da bilinen silisyum karbür (SiC), kimyasal formülü SiC olan silikon ve karbon içeren bir yarı iletkendir.SiC, yüksek sıcaklıklarda veya yüksek voltajlarda veya her ikisinde de çalışan yarı iletken elektronik cihazlarda kullanılır. SiC ayrıca önemli LED bileşenlerinden biridir, büyüyen GaN cihazları için popüler bir substrattır ve aynı zamanda yüksek sıcaklıklarda bir ısı yayıcı olarak hizmet eder. güç LED'leri.

1. Açıklama
Mülk 4H-SiC, Tek Kristal 6H-SiC, Tek Kristal
Kafes Parametreleri a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
İstifleme Sırası ABCB ABCACB
Mohs Sertliği ≈9.2 ≈9.2
Yoğunluk 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
term.Genişleme Katsayısı 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Kırılma İndeksi @750nm

hayır = 2.61
ne = 2.66

hayır = 2.60
ne = 2.65

Dielektrik sabiti c~9.66 c~9.66
Termal İletkenlik (N-tipi, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Termal İletkenlik (Yarı yalıtımlı)

a~4,9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

bant aralığı 3.23 eV 3,02 eV
Arıza Elektrik Alanı 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Doygunluk Sürüklenme Hızı 2.0×105m/sn 2.0×105m/sn

 

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

Yüksek saflıkta 4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu
10 x 10 x 0,5 mm Silisyum Karbür Gofret 4H - N SiC Kristal Yongalar 1

 
KATALOG ORTAK BOYUT                            
 

 

4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret/külçeler
2 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe
3 inç 4H N-Tipi SiC gofret
4 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe
6 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçe

 
4H Yarı Yalıtım / Yüksek SaflıktaSiC gofret

2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
 
 
6H N-Tipi SiC gofret
2 inç 6H N-Tipi SiC gofret/külçe
 
2-6 inç için özelleştirilmiş boyut
 

ZMKJ Şirketi Hakkında
 
ZMKJ, elektronik ve optoelektronik endüstrisine yüksek kaliteli tek kristal SiC levha (Silikon Karbür) sağlayabilir.SiC gofret, silikon gofret ve GaAs gofret ile karşılaştırıldığında benzersiz elektriksel özelliklere ve mükemmel termal özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir, SiC gofret, yüksek sıcaklık ve yüksek güç cihaz uygulaması için daha uygundur.SiC gofret 2-6 inç çapında temin edilebilir, hem 4H hem de 6H SiC, N tipi, Azot katkılı ve yarı yalıtımlı tip mevcuttur.Daha fazla ürün bilgisi için lütfen bizimle iletişime geçin.

 
İlişki Ürünlerimiz 
Safir levha& lens/ LiTaO3 Kristal/ SiC levhalar/ LaAlO3 / SrTiO3/ levhalar/ Yakut Topu

10 x 10 x 0,5 mm Silisyum Karbür Gofret 4H - N SiC Kristal Yongalar 2

10 x 10 x 0,5 mm Silisyum Karbür Gofret 4H - N SiC Kristal Yongalar 3

Bu ürün hakkında daha fazla bilgi edinmek istiyorum
İlgileniyorum 10 x 10 x 0,5 mm Silisyum Karbür Gofret 4H - N SiC Kristal Yongalar bana tür, boyut, miktar, malzeme gibi daha fazla ayrıntı gönderebilir misiniz
Teşekkürler!
Cevabını bekliyorum.