Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Silisyum Karbür Gofret

2 İnç 4 İnç Kukla Prime SiC Substrat Termal Şok Direnci Seramik Silisyum Karbür Tek Gofret

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Bize Ulaşın

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Şimdi İletişime Geçin

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

2 İnç 4 İnç Kukla Prime SiC Substrat Termal Şok Direnci Seramik Silisyum Karbür Tek Gofret

Marka Adı:	ZMKJ
Model Numarası:	2 inç * 0,43 mm
Adedi:	3 parça
fiyat:	by case
Paketleme Ayrıntıları:	100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi
Ödeme Şartları:	T/T, Western Union, MoneyGram

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Tanımı

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

Malzeme:

SiC tek kristal 4H-N tipi

Seviye:

Sahte / Üretim sınıfı / Prime

Kalınlıklar:

0,43 mm

yüzey:

Cilalı

Başvuru:

rulman testi

Çap:

2 inç*0,43 mmt

Renk:

Yeşil çay

Yetenek temini:

1000 ADET/AY

Vurgulamak:

Dummy Prime SiC Substrat

4 İnç SiC Substrat

Termal Şok Direnci SiC Tek Kristal

Ürün Tanımı

Özelleştirilmiş boyut 2 inç/3 inç/4 inç/6 inç 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC külçeler/Yüksek saflıkta 4H-N 4 inç 6 inç çap 150 mm silisyum karbür tek kristal (sic) yüzeyler gofretler/4 inç 4h-N tipi SIC Substratlar 0,35 mm DSP Prime Zero Grade Silisyum Karbür Gofret

Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında

Carborundum olarak da bilinen silisyum karbür (SiC), kimyasal formülü SiC olan silikon ve karbon içeren bir yarı iletkendir.SiC, yüksek sıcaklıklarda veya yüksek voltajlarda veya her ikisinde birden çalışan yarı iletken elektronik cihazlarda kullanılır. güç LED'leri.

1. Açıklama

Mülk 4H-SiC, Tek Kristal 6H-SiC, Tek Kristal

Kafes Parametreleri a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å

Yığınlama Sırası ABCB ABCACB

Mohs Sertliği ≈9.2 ≈9.2

Yoğunluk 3,21 gr/cm3 3,21 gr/cm3

termikGenişleme Katsayısı 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K

Kırılma İndeksi @750nm
hayır = 2.61
ne = 2.66

hayır = 2.60
ne = 2.65

Dielektrik sabiti c~9.66 c~9.66

Termal İletkenlik (N tipi, 0,02 ohm.cm)
a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

Termal İletkenlik (Yarı İzolasyonlu)
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

bant aralığı 3,23 eV 3,02 eV

Arıza Elektrik Alanı 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm

Doygunluk Kayma Hızı 2.0×105m/sn 2.0×105m/sn

Yüksek saflıkta 4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu

KATALOG ORTAK ÖLÇÜ

4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret/külçeler
2 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler
3 inç 4H N-Tipi SiC gofret
4 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler
6 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler

4H Yarı Yalıtımlı / Yüksek SaflıkSiC gofret

2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret

6H N-Tipi SiC gofret
2 inç 6H N-Tipi SiC gofret/külçe

2-6 inç için özelleştirilmiş boyut

ZMKJ Şirketi Hakkında

ZMKJ, elektronik ve optoelektronik endüstrisine yüksek kaliteli tek kristal SiC levha (Silikon Karbür) sağlayabilir.SiC gofret, silikon gofret ve GaAs gofret ile karşılaştırıldığında, benzersiz elektriksel özelliklere ve mükemmel termal özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir, SiC gofret, yüksek sıcaklık ve yüksek güçlü cihaz uygulaması için daha uygundur.SiC gofret, 2-6 inç çapında, hem 4H hem de 6H SiC, N tipi, Azot katkılı ve yarı yalıtımlı tipte temin edilebilir.Daha fazla ürün bilgisi için lütfen bizimle iletişime geçin.

İlişki Ürünlerimiz
Safir wafer＆ lens/ LiTaO3 Crystal/ SiC wafers/ LaAlO3 / SrTiO3/wafers/ Ruby Ball

SSS

S: Nakliye ve maliyet yolu nedir?

C:(1) DHL, Fedex, EMS vb.

(2) sorun değil Kendi açık hesabınız varsa, değilse, onları göndermenize yardımcı olabiliriz ve

Navlun fiili yerleşime uygundur.

S: Nasıl ödeme yapılır?

A: teslimattan önce T/T % 100% mevduat.

S: MOQ'unuz nedir?

C: (1) Envanter için minimum sipariş miktarı 1 adettir.2-5 adet ise daha iyi.

(2) Özelleştirilmiş ortak ürünler için minimum sipariş miktarı 10 adettir.

S: teslim süresi nedir?

A: (1) Standart ürünler için

Envanter için: teslimat, siparişi verdikten sonra 5 iş günüdür.

Özelleştirilmiş ürünler için: teslimat, siparişi verdikten 2-4 hafta sonradır.

S: Standart ürünleriniz var mı?

C: Standart ürünlerimiz stoklarımızda mevcuttur.4 inç 0,35 mm gibi alt tabakalar gibi.

Etiketler:
silisyum karbür substrat

sic gofret

safir gofretler üzerinde silikon

İlişkili Ürünler

8 inç 200mm Parlatma Silisyum Karbür Külçe Substrat Sic Chip Yarı İletken

En İyi Fiyatı Alın

AR gözlükleri için Yüksek Saflıkta Yarı İletken SiC Gofretler

En İyi Fiyatı Alın

SiC-on-Isolator SiCOI Substratları Yüksek Isı İleticiliği Geniş Bandgap

En İyi Fiyatı Alın

3C-SiC Yonga Ürünü Tanıtımı, Üretim Süreci ve Malzeme İlkeleri

En İyi Fiyatı Alın

SiC Wafer El Wafer İşleme, Temiz Oda Uyumlu, Korozyona Dirençli, Özelleştirilebilir Arayüz

En İyi Fiyatı Alın

8 İnç SiC Epitaksiyel Yonga Verimi ve Verimliliği Ölçeklenebilir Güç Elektroniği

En İyi Fiyatı Alın

SiC Epitaxial Wafer 4H/6H SiC Substratları Özel Kalınlık Doping

En İyi Fiyatı Alın

12 inç SiC Wafer 300mm Silikon Karbid Wafer İletici Numara N-Tipi Araştırma sınıfı

En İyi Fiyatı Alın

Mülk	4H-SiC, Tek Kristal	6H-SiC, Tek Kristal
Kafes Parametreleri	a=3,076 Å c=10,053 Å	a=3,073 Å c=15,117 Å
Yığınlama Sırası	ABCB	ABCACB
Mohs Sertliği	≈9.2	≈9.2
Yoğunluk	3,21 gr/cm3	3,21 gr/cm3
termikGenişleme Katsayısı	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Kırılma İndeksi @750nm	hayır = 2.61 ne = 2.66	hayır = 2.60 ne = 2.65
Dielektrik sabiti	c~9.66	c~9.66
Termal İletkenlik (N tipi, 0,02 ohm.cm)	a~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K
Termal İletkenlik (Yarı İzolasyonlu)	a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K	a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K
bant aralığı	3,23 eV	3,02 eV
Arıza Elektrik Alanı	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Doygunluk Kayma Hızı	2.0×105m/sn	2.0×105m/sn

4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret/külçeler 2 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler 3 inç 4H N-Tipi SiC gofret 4 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler 6 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler	4H Yarı Yalıtımlı / Yüksek SaflıkSiC gofret 2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
6H N-Tipi SiC gofret 2 inç 6H N-Tipi SiC gofret/külçe	2-6 inç için özelleştirilmiş boyut

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Ürün ayrıntıları

2 İnç 4 İnç Kukla Prime SiC Substrat Termal Şok Direnci Seramik Silisyum Karbür Tek Gofret

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

2 İnç 4 İnç Kukla Prime SiC Substrat Termal Şok Direnci Seramik Silisyum Karbür Tek Gofret

Dummy Prime SiC Substrat

4 İnç SiC Substrat

Termal Şok Direnci SiC Tek Kristal

Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında