Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Silisyum Karbür Gofret

6 inç 150 mm SIC Gofret 4H-N Tipi SiC Substrat Sahte Üretimi ve Sıfır Derece

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Bize Ulaşın

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Şimdi İletişime Geçin

Tüm Kategori

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

6 inç 150 mm SIC Gofret 4H-N Tipi SiC Substrat Sahte Üretimi ve Sıfır Derece

Marka Adı:	ZMKJ
Model Numarası:	6 inç 150 mm SiC Yüzey
Adedi:	2 adet
fiyat:	by case
Paketleme Ayrıntıları:	100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi
Ödeme Şartları:	T/T, Western Union, MoneyGram

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Tanımı

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

Sertifika:

ROHS

Malzeme:

SiC tek kristal 4H-N 4H-Si

Seviye:

Üretim Kuklası ve Sıfır MPD

Kalınlıklar:

0,35 mm ve 0,5 mm

LTV/TTV/Yay Çözgü:

≤5 um/≤15 u/40$ um/≤60 um

Başvuru:

MOS ve Yarı İletken için

Çap:

6 inç 150 mm

Renk:

Yeşil çay

MPD:

Sıfır MPD üretim sınıfı için <2cm-2

Yetenek temini:

1-500 adet/ay

Vurgulamak:

150mm SIC Gofret

4H-N Tipi SiC Substrat

Sıfır Dereceli Silisyum Karbür Gofret

Ürün Tanımı

Silisyum Karbür (SiC) Yüzeyler 4H ve 6H Epi-HazırSiC Substrat/Wafer'lar (150mm, 200mm) Silisyum Karbür(SiC) levha N Tipi
6 inç SIC Gofret 4H-N Tipi üretim sınıfı sic epitaksiyel gofretler sic üzerinde GaN katmanı

Silisyum Karbür (SiC)Kristal Hakkında

Shanghai Famous Trade Co., Ltd 150 mm SiC gofretler, cihaz üreticilerine yüksek performanslı güç cihazları geliştirmek için tutarlı, yüksek kaliteli bir alt tabaka sunar.SiC substratlarımız, tescilli son teknoloji fiziksel buhar taşıma (PVT) büyütme teknikleri ve bilgisayar destekli üretim (CAM) kullanılarak en yüksek kalitede kristal külçelerden üretilir.İhtiyacınız olan tutarlı, güvenilir kaliteyi sağlamak için külçeleri gofrete dönüştürmek için gelişmiş gofret üretim teknikleri kullanılır.

Ana Özellikler

Yeni nesil güç elektroniği cihazları için hedeflenen performansı ve toplam sahip olma maliyetini optimize eder
Yarı iletken üretiminde gelişmiş ölçek ekonomileri için geniş çaplı wafer'lar
Belirli cihaz üretim ihtiyaçlarını karşılamak için tolerans seviyeleri aralığı
Yüksek kristal kalitesi
Düşük kusur yoğunlukları

Geliştirilmiş üretim için boyutlandırılmış

6 inç 150 mm SiC gofret boyutuyla, üreticilere 100 mm cihaz üretimine kıyasla gelişmiş ölçek ekonomilerinden yararlanma yeteneği sunuyoruz.6 inç 150 mm SiC Gofretlerimiz, mevcut ve gelişmekte olan cihaz üretim süreçleriyle uyumluluğu sağlamak için sürekli olarak mükemmel mekanik özellikler sunar.

6 inç 200 mm N-Tipi SiC Yüzey Özellikleri
Mülk	P-MOS Sınıfı	P-SBD Derecesi	D Sınıfı
Kristal Özellikleri
Kristal Formu	4 saat
Politip Alanı	İzin Verilmez		Alan≤5%
(MPD) bir	≤0,2 /cm2	≤0,5 /cm2	≤5 /cm2
Altıgen Plakalar	İzin Verilmez		Alan≤5%
Altıgen Polikristal	İzin Verilmez
Kapsama a	Alan≤0,05%	Alan≤0,05%	Yok
Direnç	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	Yok
(TED)bir	≤3000/cm2	≤6000/cm2	Yok
(BPD)bir	≤1000/cm2	≤2000/cm2	Yok
(TSD)a	≤600/cm2	≤1000/cm2	Yok
(Yığın Hatası)	≤0,5% Alan	≤1% Alan	Yok
Yüzey Metal Kirlenmesi	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm-2
Mekanik Özellikler
Çap	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Yüzey Yönü	Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru
Birincil Düz Uzunluk	47,5 mm ± 1,5 mm
İkincil Düz Uzunluk	İkinci Daire Yok
Birincil Düz Yönlendirme	<11-20>±1°
İkincil Düz Yönlendirme	Yok
Ortogonal Yanlış Yönlendirme	±5.0°
Yüzey	C-Face:Optik Cila,Si-Face:CMP
Gofret Kenarı	pah kırma
Yüzey Pürüzlülüğü (10μm×10μm)	Si Yüzü Ra≤0,20 nm ； C Yüzü Ra≤0,50 nm
kalınlık bir	350,0μm± 25,0 μm
LTV(10mm×10mm)a	≤2μm		≤3μm
(TTV)bir	≤6μm		≤10μm
(YAY) bir	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Çözgü) bir	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Yüzey Özellikleri
Cipsler/Girintiler	İzin Verilmez ≥0,5 mm Genişlik ve Derinlik		Miktar 2 ≤1,0 mm Genişlik ve Derinlik
çizikler (Si Yüz, CS8520)	≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤0,5 × Gofret Çapı		≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤1,5× Gofret Çapı
TUA(2mm*2mm)	≥98%	≥95%	Yok
Çatlaklar	İzin Verilmez
Bulaşma	İzin Verilmez
Kenar Hariç Tutma	3mm

6 inç 150 mm SIC Gofret 4H-N Tipi SiC Substrat Sahte Üretimi ve Sıfır Derece 0

STOK LİSTEMİZDEKİ KATALOG ORTAK BEDENİ

4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret/külçeler 2 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler 3 inç 4H N-Tipi SiC gofret 4 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler 6 inç 4H N-Tipi SiC gofret/külçeler	4H Yarı Yalıtımlı / Yüksek Saflıkta SiC gofret 2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
6H N-Tipi SiC gofret 2 inç 6H N-Tipi SiC gofret/külçe	2-6 inç için özelleştirilmiş boyut

>Ambalaj – Lojistik

Paketin her detayı, temizlik, anti-statik ve şok tedavisi ile ilgili endişeler.
Ürünün miktarına ve şekline göre farklı bir paketleme işlemi yapacağız!100 dereceli temizlik odasında neredeyse tek gofret kasetleri veya 25 adet kaset ile.

Etiketler:

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Ürün ayrıntıları

6 inç 150 mm SIC Gofret 4H-N Tipi SiC Substrat Sahte Üretimi ve Sıfır Derece

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

Safir Yüzey

Safir Optik Pencereler

Silisyum Karbür Gofret

Safir Tüp

Galyum Nitrür Gofret

Yarı iletken yüzey

Sentetik Değerli Taş

Seramik Parçalar

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

Safir Kristal Saat Kılıfı

Gofret Taşıma Kutusu

Süper İletken İnce Monokristal Yüzey

6 inç 150 mm SIC Gofret 4H-N Tipi SiC Substrat Sahte Üretimi ve Sıfır Derece

150mm SIC Gofret

4H-N Tipi SiC Substrat

Sıfır Dereceli Silisyum Karbür Gofret

Ana Özellikler

Geliştirilmiş üretim için boyutlandırılmış

STOK LİSTEMİZDEKİ KATALOG ORTAK BEDENİ