2 inç 4 inç 6 inç 8 inç Endüstriyel Kullanım Silikon Karbür Wafer Yüzey Kabalığı ≤0.2nm

Ürün Açıklaması:

ZMSH, SiC (Silikon Karbür) substrat levhalarının lider üreticisi ve tedarikçisi haline geldi.Mükemmel değer arayan müşteriler için ZMSH, 2 inç ve 3 inç Araştırma sınıfı SiC substrat levhaları için piyasadaki en iyi güncel fiyatı sunar.

SiC substrat levhaları, elektronik cihaz tasarımında, özellikle yüksek güç ve yüksek frekans içeren ürünler için çeşitli uygulamalara sahiptir.

Ayrıca LED teknolojisi, SiC substrat levhalarının önemli bir tüketicisidir.LED, enerji tasarruflu bir soğuk ışık kaynağı oluşturmak için elektronları ve delikleri birleştiren bir tür yarı iletken olan Işık Yayan Diyot anlamına gelir.

Özellikler:

Silisyum Karbür (SiC) tek kristali, mükemmel termal iletkenlik, yüksek doygunluk elektron hareketliliği ve yüksek voltaj bozulma direnci gibi birçok olağanüstü özelliğe sahiptir.Bu özellikler onu yüksek frekanslı, yüksek güçlü, yüksek sıcaklığa ve radyasyona dayanıklı elektronik cihazların hazırlanması için mükemmel bir malzeme haline getirir.

Ek olarak SiC tek kristali mükemmel termal iletkenliğe ve güçlü voltaj bozulma özelliklerine sahiptir.Yüksek sıcaklıklara ve radyasyon seviyelerine bozulmadan kolayca dayanabilir, bu da onu ileri teknolojiye sahip elektronik cihazlar için ideal seçim haline getirir.

Üstelik SiC tek kristalinin yüksek elektron hareketliliği, diğer malzemelere göre daha fazla verimlilik sağlayarak daha az kesintiyle daha uzun süre çalışmasına olanak tanıyor.Bu nedenle yüksek performanslı, güvenilir elektronikler oluşturmak için mükemmel bir malzemedir.

Teknik parametreler:

Ürün Adı: Silisyum karbür substrat, Silisyum karbür gofret, SiC gofret, SiC substrat

Büyüme yöntemi: MOCVD

Kristal Yapısı: 6H, 4H, 6H(a=3.073 Å c=15.117 Å), 4H(a=3.076 Å c=10.053 Å )

İstifleme Sırası: 6H: ABCACB, 4H: ABCB

Sınıf: Üretim Sınıfı, Araştırma Sınıfı, Yapay Sınıf

İletkenlik tipi: N tipi veya Yarı Yalıtımlı

Bant aralığı: 3,23 eV

Sertlik: 9,2(moh)

Isı İletkenliği @300K: 3,2~4,9 W/ cm.K

Dielektrik sabitleri: e(11)=e(22)=9,66 e(33)=10,33

Direnç: 4H-SiC-N: 0,015~0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm

Ambalaj: Sınıf 100 temiz torba, sınıf 1000 temiz odada.

Uygulamalar:

Silikon Karbür Gofret (SiC gofret), otomotiv elektroniği, optoelektronik cihazlar ve endüstriyel uygulamalar için ideal bir seçenektir.Bu plakalar, çeşitli cihazların temel bileşenleri olan hem 4H-N Tipi SiC substratlarını hem de yarı yalıtımlı SiC substratlarını içerir.

4H-N tipi SiC alt tabakalar, güç elektroniğinde çok verimli anahtarlamaya olanak tanıyan geniş bant aralığı gibi üstün özellikler sağlar.Ek olarak, mekanik aşınmaya ve kimyasal oksidasyona karşı oldukça dirençlidirler, bu da onları yüksek sıcaklıktaki, düşük kayıplı cihazlar için ideal kılar.

Yarı yalıtımlı SiC substratları aynı zamanda yüksek stabilite ve termal direnç gibi mükemmel özellikler de sağlar.Yüksek güçlü cihazlarda kararlı kalabilme yetenekleri, onları çeşitli optoelektronik uygulamalar için ideal kılar.Ayrıca yüksek performanslı mikroelektronik cihazlarda önemli bileşenler olan bağlı levhalar olarak da kullanılabilirler.

SiC levhanın bu özellikleri onları özellikle otomotiv, optoelektronik ve endüstriyel sektörler olmak üzere çeşitli uygulamalara uygun hale getiriyor.SiC levhalar günümüz teknolojisinin önemli bir parçasıdır ve çeşitli endüstrilerde giderek daha popüler hale gelmeye devam etmektedir.

Destek ve Hizmetler:

Silisyum Karbür Gofret için kapsamlı teknik destek ve hizmetler sunuyoruz.Uzmanlardan oluşan ekibimiz ürün seçimi konusunda rehberlik sağlamaya, teknik soruları yanıtlamaya ve projenizin tasarımı ve uygulanmasına yardımcı olmaya hazırdır.

Bilgili teknik destek ekibimiz Silisyum Karbür Gofret ile ilgili her türlü soru veya endişenizi yanıtlamaya hazırdır.Kapsamlı ürün bilgileri, uygulama desteği ve sorun giderme yardımı sağlıyoruz.

Uygulamanız için en iyi Silisyum Karbür Gofret ürününü seçmenize yardımcı olabiliriz.Uzman ekibimiz mükemmel seçimi yapmanızı sağlamak için öneriler, örnekler ve destek sağlayabilir.

Deneyimli mühendislerden oluşan ekibimiz, mükemmel Silisyum Karbür Gofret çözümünü tasarlamanıza ve uygulamanıza yardımcı olabilir.Projenizin başarılı olmasını sağlamak için ayrıntılı çizimler, simülasyonlar ve destek sağlayabiliriz.

Paketleme ve Nakliye:

Silisyum karbür plakalar kırılgandır ve nakliye sırasında özel taşıma ve koruma gerektirir.Müşteriye güvenli teslimatı sağlamak için aşağıdaki prosedürler takip edilmelidir.

• Gofretler, antistatik köpüklü, statik elektriği dağıtan ambalajlara yerleştirilmelidir.
• Gofretler, çevresel kirleticilerden korunmak için nem bariyerli bir torbaya kapatılmalıdır.
• Ambalaj, şok ve titreşime karşı koruma sağlamak için yastıklama malzemesi içeren bir kutuya kapatılmalıdır.
• Kutu şu bilgileri içerecek şekilde etiketlenmelidir: müşterinin adresi, paketin içeriği ve paketin ağırlığı.
• Paket uygun bir taşıyıcıyla gönderilmeli ve içindekilerin tam değeri sigortalanmalıdır.

SSS: