Özet

4-HYarım yalıtım SiCSubstrat, çok çeşitli uygulamalara sahip yüksek performanslı bir yarı iletken malzemedir.Bu substrat olağanüstü elektrik özelliklerine sahiptir., yüksek dirençlilik ve düşük taşıyıcı konsantrasyonu da dahil olmak üzere, radyo frekansı (RF), mikrodalga ve güç elektronik cihazları için ideal bir seçim haline getirir.

4-H'nin ana özellikleriYarı yalıtımlı SiCSubstratın yüksek derecede tekdüze elektrik özellikleri, düşük kirlilik konsantrasyonu ve olağanüstü termal kararlılığı vardır.Bu özellikler, yüksek frekanslı RF güç cihazlarının üretimi için uygun hale getirir., yüksek sıcaklıklı elektronik sensörler ve mikrodalga elektronik ekipman.Yüksek parçalanma alanı gücü ve mükemmel ısı iletkenliği de yüksek güç cihazları için tercih edilen substrat olarak konumlandırır.

Ayrıca, 4-HYarım yalıtım SiCSubstrat, koroziv ortamlarda çalışmasını ve uygulama yelpazesini genişletmesini sağlayan mükemmel kimyasal istikrar göstermektedir.Yarım iletken imalatı gibi endüstrilerde kritik bir rol oynamaktadır., telekomünikasyon, savunma ve yüksek enerji fizik deneyleri.

Özetle, 4-HYarı yalıtımlı SiCElektriksel ve termal özellikleriyle,Yarım iletkenler alanında önemli bir umut veriyor ve yüksek performanslı elektronik cihazların üretimi için güvenilir bir temel oluşturuyor.

Özellikler

Elektriksel özellikler:

1. Yüksek direnç:4 saat Yarım yalıtım SiCÇok yüksek dirençlere sahiptir, bu da düşük elektrik iletkenliği istenen yarı yalıtım uygulamaları için mükemmel bir malzemedir.
2. Geniş bant aralığı nedeniyle,4H Yarım yalıtım SiCYüksek bir kırılma voltajına sahiptir, bu da onu yüksek güç ve yüksek voltaj uygulamaları için uygundur.

Termal Özellikler:

1. Yüksek ısı iletkenliği:SiCGenellikle yüksek ısı iletkenliğine sahiptir ve bu özellik 4-H yarı yalıtımına kadar uzanır.SiCAynı zamanda, verimli ısı dağılımına yardımcı olur.
2. Isı Dayanıklılığı: Bu malzeme yüksek sıcaklıklarda bile özelliklerini ve performansını korur ve bu nedenle sert termal ortamlarda kullanılmak için uygundur.

Mekanik ve Fiziksel Özellikler:

1. Sertlik: Diğer şekiller gibiSiC,4-H yarı yalıtımDeğişiklik aynı zamanda çok sert ve aşınmaya dayanıklı.
2. Kimyasal Inertlik: Kimyasal olarak inert ve çoğu asit ve alkaliye dirençlidir, sert kimyasal ortamlarda istikrar ve uzun ömür sağlar.

Optik özellikleri:

1. Kızılötesi şeffaflık:4H yarı yalıtımlı SiCBazı optik uygulamalarda yararlı olabilecek kızılötesi ışığa şeffafdır.

Özel Uygulamalar için Avantajlar:

1. Elektronik: Yüksek frekanslı ve yüksek güçlü cihazlar için idealdir, çünkü yüksek kırılma voltajı ve termal iletkenliği vardır.
2. Optoelektronik: Kızılötesi bölgesinde çalışan optoelektronik cihazlar için uygundur.
3. Güç cihazları: Schottky diyotları, MOSFET'ler ve IGBT'ler gibi güç cihazlarının üretiminde kullanılır.

4H yarı yalıtımlı SiCOlağanüstü elektrik, termal ve fiziksel özellikleri nedeniyle çeşitli yüksek performanslı uygulamalarda kullanılan çok yönlü bir malzemedir.

Şirketimiz hakkında

Satış ve müşteri hizmetleri