logo
İyi fiyat  çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Ev Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
Silisyum Karbür Gofret
Created with Pixso.

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme

Marka Adı: ZMSH
Model Numarası: Silicon carbide seed wafer
Ödeme Şartları: 100%T/T
Ayrıntılı Bilgiler
Place of Origin:
China
Yay/Çözgü:
≤50um
Direnç:
Yüksek/Düşük Direnç
Oryantasyon:
Eksen Açık/Eksen Dışı
TTV:
≤2um
Türü:
4 saat
Çapraz:
2 inç 4 inç 6 inç 8 inç
parçacık:
Serbest/Düşük Parçacık
Malzeme:
Silisyum Karbür
Vurgulamak:

Silikon Karbid SiC Tohum Wafer

,

Özelleştirme SiC Tohum Wafer

,

Büyüme için SiC Tohum Wafer

Ürün Tanımı

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme

SiC Tohum Wafer'in açıklaması:

SiC tohum kristalı aslında tek bir kristalin büyümesi için tohum olarak hizmet eden, istenen kristal ile aynı kristal yönelimine sahip küçük bir kristaldir.Farklı kristal yönelimlerine sahip tohum kristalleri kullanarak, farklı yönelimlere sahip kristaller elde edilebilir. Bu nedenle, amaçlarına göre sınıflandırılırlar: CZ çekilen tek kristal tohum kristalleri, bölge erime tohum kristalleri,safir tohum kristalleriBu sayıda, sizinle temel olarak silikon karbid (SiC) tohum kristalleri üretim sürecini paylaşacağım.Silikon karbid tohum kristallerinin seçimi ve hazırlanması dahil, büyüme yöntemleri, termodinamik özellikler, büyüme mekanizmaları ve büyüme kontrolü.

SiC Tohum Wafer'in Karakteri:

1Geniş bant boşluğu.

2Yüksek ısı iletkenliği

3Yüksek kritik parçalanma alanı gücü.

4Yüksek doymak elektron sürükleme hızı

SiC Tohum Wafer şekli:

Silikon karbid tohum plakaları
Çok tip 4 saat
Yüzey yönelim hatası 4°<11-20>±0,5o
Direnç özelleştirme
Çapraz 205±0,5 mm
Kalınlığı 600±50μm
Kabartma CMP,Ra≤0.2nm
Mikropip yoğunluğu ≤1 ea/cm2
Çizikler ≤5,Toplam Uzunluk≤2*Diametre
Kenarlık çipleri/iğnelemeler Hiçbiri
Ön lazer işareti Hiçbiri
Çizikler ≤2,Toplam Uzunluk≤Diametre
Kenarlık çipleri/iğnelemeler Hiçbiri
Çok tipli alanlar Hiçbiri
Arka lazer işareti 1 mm (üst kenardan)
Kenar Çamfer
Paketleme Birden fazla waferli kaset

SiC Tohum Wafer'ın fiziksel fotoğrafı:

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme 04H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme 1

SiC Tohum Wafer'in uygulamalar:

Silikon karbid tohum kristalı, silikon karbid hazırlamak için kullanılır.

Silikon karbid tek kristaller tipik olarak fiziksel buhar nakliye yöntemi kullanılarak yetiştirilir.Bu yöntemin spesifik adımları, silikon karbid tozunun bir grafit havuzunun altına yerleştirilmesini ve bir silikon karbid tohum kristalinin havuzun üstüne yerleştirilmesini içerir.Grafit kavurması daha sonra silikon karbidinin süblimasyon sıcaklığına kadar ısıtılır. Silikon karbid tozu Si buharı, Si2C ve SiC2 gibi buhar fazı maddelerine ayrılır.Bu maddeler eksensel bir sıcaklık eğimi etkisi altında havuzun tepesine doğru yükselirler.Üstüne ulaştıklarında, silikon karbid tohum kristalinin yüzeyinde yoğunlaşırlar ve silikon karbid tek kristaline dönüşürler.

Tohum kristalinin çapı istenen kristal çapına uymalıdır. Büyüme sırasında, tohum kristalı bir yapıştırıcı kullanarak kaynarın tepesine sabitlenir.

SiC Tohum Wafer'in Uygulama Resimi:

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme 2

Ambalaj ve Nakliye:

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme 3

Ürün Tavsiye:

1.6 inç Dia153mm 0.5mm monokristalin SiC Silikon Karbür kristal tohum plaka veya ingot

 

 

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme 4

2.4h-N 100um SIC Kristal Büyüme için Silikon Karbür Abrasif Tozu

 

4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme 5