• Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
  • Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
  • Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
  • Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
  • Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
  • Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
  • Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped
Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped

Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri: Çin
Marka adı: ZMSH
Model numarası: SiC Gofretler 2/3/4/6/8 İnç 4H-N Tipi Üretim Kukla Araştırma Sınıfı

Ödeme & teslimat koşulları:

Teslim süresi: 2-4 Hafta
Ödeme koşulları: T/T
En iyi fiyat İletişim

Detay Bilgi
Malzeme: SIC Çapraz: 2/3/4/6/8 inç
Türü: 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI Polonyalı: DSP/SSP
Vurgulamak:

Dökülmemiş SiC Waferleri

,

4H-N Tipi SiC Waferleri

,

8 inçlik SiC Wafers

Ürün Açıklaması

SiC Wafers 8 inç 4H-N Tipi DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Araştırma Sınıfı Yüksek Kalite Dope edilmemiş

 

1. Özetle

 

Yüksek kaliteli SiC Wafers 8 inç 4H-N Tipi DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Araştırma Sınıfı Dopsuz,2 ila 8 inç arasında değişen boyutlarda mevcut, özellikle 8' çapında,Biz az sayıda üreticiden biriyiz. 8 inçlik SiC levha üretme kapasitesine sahipMüşterilerimiz için yüksek kalitede ürün üretmeye odaklanıyoruz.

 

 

2Ürün ve Şirket Açıklaması

 

2.1 Ürün Tanımı:

Bizimyüksek kaliteli SiC Wafers 8 inç 4H-N Tipi DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Araştırma Sınıfı UndopedÖzellikle en son yarı iletken uygulamaları için tasarlanmıştır.Bu levhalar, üstün elektrik ve termal özelliklere sahiptir, bu da onları güç elektroniği, RF cihazları,ve yüksek sıcaklıklı ortamlarda.

 

2.2 Şirket Tarifi:

Şirketimiz (ZMSH)Sapphire alanına odaklanmıştır.10 yıldan fazlaProfesyonel fabrika ve satış ekipleriyle.Özel ürünlerAyrıca özel tasarımı üstleniriz ve OEM olabiliriz.ZMSHHem fiyatı hem de kalitesini göz önünde bulundurarak en iyi seçim olacaktır.Bana uzanmaktan çekinme!

 

 

3Uygulamalar

 

Araştırma ve geliştirme projelerinizin potansiyeliniBizim SiC Wafers 8 inç 4H-N Tipi DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Araştırma Sınıfı Yüksek Kalite Dope edilmemişYaklaşık 3.3 eV'lik bir bant boşluğuyla, bu levhalar yüksek voltajlı ve yüksek frekanslı işlemleri sağlar.Böylece sıkı uygulamalarda verimliliği ve güvenilirliği artırır.

  • Lazerler: SiC substratları, UV ve mavi ışık bölgelerinde verimli çalışan yüksek güçlü lazer diyotlarının üretilmesini sağlar.Mükemmel ısı iletkenliği ve dayanıklılığı, aşırı koşullarda güvenilir performans gerektiren uygulamalar için ideal hale getirir.
  • Tüketici Elektronikleri: SiC substratları, daha verimli güç dönüşümü ve daha uzun pil ömrü sağlayarak güç yönetimi IC'lerini geliştirir.Yüksek performansı korurken daha küçük ve daha hafif şarj cihazlarını mümkün kılmak.
  • Elektrikli Araç Pilleri: SiC substratları enerji verimliliğini geliştirdi ve sürüş menzilini genişletti. Hızlı şarj altyapısında uygulanmaları, daha hızlı şarj sürelerini destekler ve EV kullanıcıları için rahatlığı artırır.

 

Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped 0

 

 

4Ürün Görüntüsü - ZMSH

 

Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped 1

 

 

5. SiC Wafer Özellikleri

 

Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped 2

 

 

6Sık Sorulan Sorular

 

6.1 Q:SiC levhalarının hangi boyutlarını üretebiliriz?

Cevap: Özellikle 8 inçlik olanları üretebiliyoruz. SiC substratları çeşitli boyutlarda, çapı 2/3/4/6/8 inç.Özel uygulama gereksinimlerine göre diğer özel boyutlar da mevcut olabilir..

 

6.2 Q:Bu levhalardan hangi endüstriler yararlanıyor?

A: Ana endüstriler arasında otomotiv, telekomünikasyon, havacılık ve yenilenebilir enerji vardır.

 

6.3 Q:SiC waferlerimi özel yapabilir miyim?

A: Elbette! 10 yıldan uzun süredir özelleştirilmiş ürünler üretiyoruz; lütfen gereksinimlerinizi bizimle paylaşmak için ulaşın.

 

 

7Daha fazla yarı iletken malzeme sunuyoruz.

 

Ayrıca SiC-HPSI levhaları, Sapphire Substratlar ve daha fazla yarı iletken malzemesini işliyoruz.

 

Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped 3Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped 4

 

Etiket:SiC wafer, SiC substratı, yarı iletken malzemeleri.

Etiket:

silisyum karbür substrat

sic gofret

safir gofretler üzerinde silikon

Bu ürün hakkında daha fazla bilgi edinmek istiyorum
İlgileniyorum Yüksek Kaliteli SiC Wafers 2/3/4/6/8 inç 4H-N Tip Z/P/D/R Sınıfı Dopped bana tür, boyut, miktar, malzeme gibi daha fazla ayrıntı gönderebilir misiniz
Teşekkürler!
Cevabını bekliyorum.