Safir Yüzey

• Silikon Wafer GaN-on-Si üzerinde Gallium Nitride 2 Inch 4 Inch 6 Inch 8 Inch CMOS Teknolojisi için
• Sapphire Wafer 4 inç DSP SSP 0001 C Uçak Özel Eksen Al2O3 Monocrystal Al2O3 Kabul
• Sapphire Wafer Monocrystal Al2O3 DSP SSP 2 inç 4 inç 6 inç 8 inç 12 inç A düzlemi C düzlemi
• Zafir bıçaklarının yüksek sertliği tıbbi uygulamalar için doku hasarını etkili bir şekilde azaltır

Sentetik Değerli Taş

• Altın yapay safir ham değerli taş mücevher için Mohs sertlik ölçeği 9 kristal
• Şeffaflık ve hassasiyet için cilalanmış endüstriyel safir topları Yüksek sertlik ve dayanıklılık
• LSO ((Ce) Lutezyum Oxyorthosilicate ((Ce) Tıbbi Görüntüleme için Scintillator Kristal Yüksek Scintillation Verimliliği
• Gökyüzü Mavi Yapay Sapphire Row Kristal Gem Açık Mavi Dekorasyon için Mücevher

Safir Optik Pencereler

• Lazer Sistemi Koruması Optik Şeffaflık Sapphire Dome Yüksek Sıcaklık Performansı
• Çarpışma Direnci Yarımküre Saphir Kubbe UV Direnci Saphir
• Tek Kristal Al2O3 Sapphire Kuponları Etki UV Direnci Sapphire Yarımküre Pencereler
• Kubbe Sapphire Optik Pencereler Kimyasal Direnci Yüksek Isı İleticiliği Kalınlığı 1mm 2mm

Silisyum Karbür Gofret

• 2 inç 4 inç 6 inç 8 inç 3C-N SiC Wafer Silikon Karbid Optoelektronik Yüksek Güçlü RF LED'ler
• 3C-N Tipi Silikon Karbür Wafers 2 inç 4 inç 6 inç veya 5 * 5 10 * 10 mm Boyut Üretim Derecesi Araştırma Derecesi
• Silikon Karbid Wafers 3C-N Tip 5*5 10*10mm Inch Diametresi Kalınlığı 350 μm±25 μm
• 3C-N SiC wafer 4 inç Silikon Karbid Prime Grade Dummy Grade Yüksek elektron hareketliliği RF LED

Safir Tüp

• Endüstriyel Sentetik Safir Tüpler Özelleştirilmiş Cilalı Al2O3 Kristal
• Özelleştirilebilir safir borusu şeffaf safir borusu Mohs 9.0 sertliği yüksek aşınma direnci
• Özel amaçlı endüstriyel uygulamalar yüksek sertlik
• 99.999% Al2O3 Tüp, cilalanmış yüzey kalitesi büyüme teknolojisi EFG / KY

Yarı iletken yüzey

• Al Tek Kristal Alüminyum Altyapı yönelimi 111 100 111 5 × 5 × 0,5 mm A = 4.040Ã
• Özel kalınlık Al Tek Kristal Alüminyum Altyapı Saflığı 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1mm
• Erimiş silikon levha JGS1 JGS2 BF33 8 inç 12 inç kalınlığı 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um
• N-InP substrat bant genişliği 02:2FP lazer diodu için.5G dalga uzunluğu 1270nm epi levha

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

• SiC Tek kristal direnci ısıtma kristal büyüme fırını 6 inç 8 inç 12 inç SiC levha üretimi için
• Mikrojet lazer ekipmanları yüksek hassasiyetli wafer dilimleme AR silikon karbid lens işleme
• Mikrojet lazer ekipmanları Yüksek enerji lazer ve mikron sıvı jet teknolojisi
• Cermet Silikon Karbidinin sert ve kırılgan malzemelerini işlemek için kullanılan Mikrofluidik Lazer Ekipmanı Teknolojisi