Safir Yüzey

• Zafir bıçaklarının yüksek sertliği tıbbi uygulamalar için doku hasarını etkili bir şekilde azaltır
• Sapphire GaN Epitaxy Şablon 2 inç 4 inç 6 inç 8 inç
• Sapphire Al2O3 Ingots 80KG 200KG 400KG Sapphire bileşen işleme için KY Büyüme Yöntemleri
• Küçük boyutlu safir lazer koni lazer kesiminde, tıbbi lazerlerde ve bilimsel araştırmada kullanılır

Safir Optik Pencereler

• Kaplamamış / kaplanmış SapphireTech Precision Windows High Transparency Precision Engineering
• Özelleştirilebilir safir JGSI JGS2 kuvars optik bileşenleri Güçlü termal kararlılık
• özelleştirilebilir düzensiz şekilli JGS1 JGS2 K9 BF33 BK7 kuvars safir pencereleri yüksek geçirgenlik
• Endüstriyel Kameralar ve Sensörler için Asimetrik Özelleştirilebilir Sapphire Pencere Lensi

Silisyum Karbür Gofret

• 3C-N Tipi Silikon Karbür Wafers 2 inç 4 inç 6 inç veya 5 * 5 10 * 10 mm Boyut Üretim Derecesi Araştırma Derecesi
• Silikon Karbid Wafers 3C-N Tip 5*5 10*10mm Inch Diametresi Kalınlığı 350 μm±25 μm
• 3C-N SiC wafer 4 inç Silikon Karbid Prime Grade Dummy Grade Yüksek elektron hareketliliği RF LED
• 4H SiC Tohum Wafer Kalınlığı 600±50μm <1120> Özelleştirme Silikon karbit büyüme

Safir Tüp

• Özel amaçlı endüstriyel uygulamalar yüksek sertlik
• 99.999% Al2O3 Tüp, cilalanmış yüzey kalitesi büyüme teknolojisi EFG / KY
• 99.995% Al2O3 Yüksek Toleranslı Şeffaflıklı Şeffaf Sapfir Tüp
• Özel Al2O3 Tek Kristal Safir Tüp 99.999% Yüksek Saflık Çeşitli Diametre

Yarı iletken yüzey

• Özel kalınlık Al Tek Kristal Alüminyum Altyapı Saflığı 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1mm
• Erimiş silikon levha JGS1 JGS2 BF33 8 inç 12 inç kalınlığı 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um
• N-InP substrat bant genişliği 02:2FP lazer diodu için.5G dalga uzunluğu 1270nm epi levha
• 2 inç, 4 inç, 6 inç, 8 inç, 12 inç Si levhası Silikon levhası cilalama P tipi N tipi yarı iletken

Sentetik Değerli Taş

• Gökyüzü Mavi Yapay Sapphire Row Kristal Gem Açık Mavi Dekorasyon için Mücevher
• Yeşil safir taş: Mohs Sertliği 9 ile dayanıklı mücevherler için sentetik ham madde
• Yapay Büyütme Doped Rengi Sapphire AL2O3 Özel CZ Yöntemi Mor
• Ce:LuAG Scintillation Crystal Cerium doped Lutetium Aluminium Yüksek yoğunluk Hızlı bozulma süresi PET

Bilimsel Laboratuar Ekipmanları

• Gelişmiş GaAs Fiber Optik Sıcaklık Demodülatörü Gerçek Zamanlı Yüksek Hassasiyetli Isı İzleme Sistemi
• SiC Fırın SiC Ingot Büyüme Fırını 4 inç 6 inç 8 inç PVT Lely TSSG LPE Metodu Yüksek Büyüme Hızı
• PVT, Lely, TSSG yöntemlerini kullanarak 6 inç, 8 inç kristal için SiC tek kristal büyüme fırını
• Kiropoulos yöntemiyle safir kristalı büyüme fırını 80-400kg ((KY)